[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管有效
申请号: | 202311007337.0 | 申请日: | 2023-08-11 |
公开(公告)号: | CN116741905B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 | 申请(专利权)人: | 江西兆驰半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 李素兰 |
地址: | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体光电器件领域。其中,发光二极管外延片包括衬底,依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层;所述电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的Mg掺InN形核层、复合包覆层和AlScN填平层;所述复合包覆层包括依次层叠于所述Mg掺InN形核层上的AlInN层、AlGaN层和AlN层;所述Mg掺InN形核层包括多个分布在所述多量子阱层上的形核点,所述复合包覆层包覆所述形核点。实施本发明,可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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