[发明专利]一种热电材料钴酸钡块体单晶及其制备方法在审

申请号：	202311114855.2	申请日：	2023-08-31
公开（公告）号：	CN116926674A	公开（公告）日：	2023-10-24
发明（设计）人：	杨倩;刘昱岑;张雨桥;张建明;李顺;张龙;孙涛;成杏文;吴纪清	申请（专利权）人：	江苏大学
主分类号：	C30B29/10	分类号：	C30B29/10;C30B1/12
代理公司：	南京智造力知识产权代理有限公司 32382	代理人：	石晓花
地址：	212013 江***	国省代码：	江苏;32
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明公开了一种热电材料钴酸钡块状单晶及制备方法。所述钴酸钡块体单晶成分为BaxCoO2，其中0.1≤x≤0.5，BaxCoO2块体单晶呈CoO2层和Ba层交替排列的层状结构，为沿c轴(0001)方向生长的纯相样品。制备方法为：将钴酸钠NaxCoO2单晶前驱体，和硝酸钡粉体以及熔融盐通过在密闭高温高压反应釜内采用离子交换法制备钴酸钡块体单晶。所得的BaxCoO2块体单晶材料是一种新型氧化物基高温热电材料，具有较高的空气高温稳定性和耐久度。BaxCoO2块体单晶作为一种新型热电材料，扩展了钴酸盐热电材料的种类，解决了BaxCoO2材料受限于多晶块体和外延薄膜的问题，并且制备成本低、无污染，稳定，具有良好的高温应用前景。
搜索关键词：	一种热电材料钴酸钡块体及其制备方法
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申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种热电材料钴酸钡块状单晶及制备方法。所述钴酸钡块体单晶成分为BaxCoO2，其中0.1≤x≤0.5，BaxCoO2块体单晶呈CoO2层和Ba层交替排列的层状结构，为沿c轴(0001)方向生长的纯相样品。制备方法为：将钴酸钠NaxCoO2单晶前驱体，和硝酸钡粉体以及熔融盐通过在密闭高温高压反应釜内采用离子交换法制备钴酸钡块体单晶。所得的BaxCoO2块体单晶材料是一种新型氧化物基高温热电材料，具有较高的空气高温稳定性和耐久度。BaxCoO2块体单晶作为一种新型热电材料，扩展了钴酸盐热电材料的种类，解决了BaxCoO2材料受限于多晶块体和外延薄膜的问题，并且制备成本低、无污染，稳定，具有良好的高温应用前景。

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摘要：本发明提供一种扫描电镜用小尺寸的LaB6[100]单晶、其制备方法以及包括其的阴极材料。所述LaB6[100]单晶的尺寸为1～2mm，长度为20～40mm。该小尺寸LaB6[100]单晶具有高热发射性能，并且长度满足加工需要，可以满足电子显微镜阴极应用需求。

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摘要：本发明公开了BaLa5V2O3N7晶体及电极材料的制备方法。结合助溶剂法和氨热法获得四方块状形貌的BaLa5V2O3N7晶体，该晶体属四方晶系，晶胞参数a=6.8833(1)Å，c=11.3400(2)Å，V=537.29(2)Å3，Z=2。以BaLa5V2O3N7为主体，通过高温固相法合成粉体，随后经冷等静压手段获得致密陶瓷片，即得到一种高电子电导率固态氧化物电池阳极电极材料。该电极材料的复阻抗谱表现出导电特性，随着温度从25℃到350℃，阻抗值的大小先减后增，呈现出由半导体到金属性的转变，电子电导率σt最高达10‑2 S‧cm‑1。通过燃料电池的组装，测试得到较为稳定的电压电流输出，证实了BaLa5V2O3N7作为低温固态氧化物电极材料的可行性。采用的高温固相制备法工艺简单，该电极材料高的电导率使得其在固态氧化物燃料电池阳极进行高效的催化和传递电子。

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摘要：本发明提供了一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物，所述细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物的D50为3.45～3.55μm；晶须细长针状，平均长径比为10～12，振实密度为1.7～2.2g/cm3。本发明中的镍钴锰氢氧化物晶须为细长针状，且长径比为10～12，分散性能好，且粒度更加均匀。本发明还提供了一种细晶须小粒径镍钴锰氢氧化物的制备方法，本发明的主要思路是在前驱体生长过程中通过控制釜内氨浓度以及反应釜进料量、转速以制得细长晶须小粒径镍钴锰氢氧化物。实验结果表明，本发明制备得到的高镍小粒径镍钴锰氢氧化物晶须细长、孔道结构丰富、粒度分布均匀，分散性好无团聚。

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摘要：本发明涉及一种贵金属催化制备外尔半金属单晶材料的方法，将块状金属铌箔或钽箔与粉末状的砷和碘混合获得第一混合物；贵金属材料作为催化剂加入到第一混合物中，获得第二混合物；将第二混合物作为反应原料加入到石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管竖直放置于立式生长炉中，升温到450‑550 ℃后保温20‑40min；继续升温到1000‑1100 ℃后保温20‑40天；保温结束后缓慢冷却到450‑550 ℃后停止反应并冷却至室温。本发明方法中贵金属可以做为外尔半金属晶体生长的催化剂，降低了晶体生长的反应势垒，加速了中间产物的反应速率。

二维外尔半金属晶体的制备方法-202310428691.4
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摘要：本发明涉及一种二维外尔半金属晶体的制备方法，首先将片状金属铌箔或钽箔与粉末状的砷或红磷作为反应原料以四氯化碲作为输运剂加入到石英管中，然后将尺寸合适的蓝宝石衬底放入石英管中，将石英管抽真空后密封；将密封后的石英管水平放置于管式生长炉中，通过控制升温，保温及降温程序来生长二维外尔半金属晶体。本发明采用了水平生长工艺，晶体在衬底上生长时不需要大的传输路程，可以保持晶体生长的连续性；降低了石英管中的纵向和径向温度梯度，使反应过程更加稳定，从而有利于获得较大尺寸的单晶薄片。

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申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种NbAs掺杂Ta的外尔半金属材料及其制备方法，将块状金属铌箔和钽箔放入石英管，然后向石英管内加入砷粉，最后在石英管中加碘单质作为运输剂，封住石英管口；将石英管放入装有干冰和丙酮溶液的烧杯内，石英管抽真空处理后将石英管密封；将密封后的石英管放入管式炉中，先以15℃/min升温到200~220℃；再以4℃/min升到500~550℃保温30~40min；然后以5℃/h升温到600~700℃；继续以4℃/h升温到1000~1100℃并保温5~10天；保温结束后停止反应并冷却至室温。本发明采用化学气相运输法生长，在高真空密闭环境中生长，合成出的晶体结晶度高、质量好，重复性高。

化合物氟硼酸钾铯碘和氟硼酸钾铯碘非线性光学晶体及制备方法和用途-202111533641.X
发明人：潘世烈;闫玉臣;张敏 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明涉及一种化合物氟硼酸钾铯碘和氟硼酸钾铯碘非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，采用真空封管制成；该晶体化学式为Cs2KB8O12F2I，分子量为748.40，属于三方晶系，空间群为R32，单胞参数为a=6.5911(1)Å,b=6.5911(1)Å,c=30.6160(11)Å,Z=3；采用真空封管制备晶体，该晶体透光波段紫外透过截止边为200nm。非线性光学效应约为KDP的1倍，空间群R32。该方法制备简单，生长周期短，所使用的起始原料毒性低，对人体毒害小，物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途-202111343284.0
发明人：潘世烈;韩健;刘开通 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2021-11-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供一种五水合五羟基十三硼酸钡和五水合五羟基十三硼酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，所述该化合物的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，采用水热法制成；该晶体的化学式为Ba2B13O19(OH)5·5H2O，分子量为894.33，属于三斜晶系，空间群为P1，晶胞参数为a=7.5929(4)Å，b=8.0892(4)Å，c=10.0221(5)Å，α=89.943(2)°，β=72.402(2)°，γ=81.196(2)°，单胞体积为579.17(5)Å3，晶体的倍频效应约为KH2PO4(KDP)的1.0倍，紫外截止边约为200 nm，采用水热法或室温溶液法生长晶体，该晶体的化学稳定性好，可作为紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

六水合钠铷碳氮氧氯双折射光学晶体及其制备方法和应用-202111253822.7
发明人：刘莉莉;胡兆炜;王欢;徐家跃 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种六水合钠铷碳氮氧氯光学晶体及其制备方法和在制备偏振分束棱镜中的应用。其化学式为Na3Rb6(CO3)3(NO3)2Cl·6H2O，分子量1029.39，属于六方晶系，空间群为P63/mcm，晶胞参数为：α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2。制备方法采用水热法。所得晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。

La32-202310450847.9
发明人：王晓明;焦桓;李蕊芯 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种氮氧化物硅酸盐La32Ba12LiMgSi52N103O11晶体及荧光粉和制备方法。该晶体属于单斜晶系，晶胞参数a=11.0673(9)Å，b=9.6715(9)Å，c=28.0671(2)Å，β=95.3925(6)°，Z=1。该荧光粉用化学通式La32‑xBa12LiMgSi52N103O11:xPr3+表达，其中0.001≤x≤32。本发明中荧光粉以La32Ba12LiMgSi52N103O11为基质材料，Pr3+作为激活离子，在近紫外光激发下能发射红光，其光谱半峰宽为45 nm，属于窄带发射荧光粉，激发带与近紫外和蓝光芯片能够很好的匹配，是一种具有全新骨架结构的红色荧光粉。

化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途-202310303182.9
发明人：潘世烈;杨志华;张杰 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供一种化合物氟硼酸钠和氟硼酸钠非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，采用固相合成法或真空封装法制成；该晶体的化学式为NaB4O6F，分子量为181.23，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为a=9.1611Å，b=11.3922Å，c=6.5892Å，α=90°，β=90°，γ=90°，单胞体积为687.679Å3，该结构的倍频效应约为2.64倍的KH2PO4(KDP)，紫外截止边为178 nm，采用真空封装法，熔体法，水热法，高温熔液法或室温溶液法生长晶体，该结构具有优异性能，可作为紫外、深紫外非线性光学晶体在全固态激光器中获得应用。

一类含氮族元素端基的MXene材料晶体-202111489021.0
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申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明属于二维纳米材料技术领域，具体涉及了一类含氮族元素端基的MXene材料晶体。所述MXene材料晶体的分子表达式为Mn+1XnTx，T包含AaBb，其中A为氮族元素端基中一种或多种，B为非氮族元素端基中的一种或多种，a+b＝1～2，a0，b≥0，x为端基的化学计量数，x＝1～2。所述的氮族元素端基包括P、As、Sb中的一种或多种。本发明实现了在MXene材料晶体的端基含氮族元素，有效的扩展了MXene材料的结构和元素多样性，通过端基修饰调控其物理、化学性质，从而拓展该类材料的应用范围。

三元稀土六硼化物-二硼化锆共晶复合材料及其制备方法-202310303814.1
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申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供了一种(La0.5Ba0.5)B6[100]‑ZrB2共晶复合材料，其制备方法，以及包括其的阴极器件。在所述共晶复合材料中，La0.5B0.5B6与ZrB2的摩尔比为2.1∶1，(La0.5Ba0.5)B6为基体且晶体取向为[100]；ZrB2为以纤维形式存在的增强相。该共晶复合材料具有高的热发射性能和高的强韧性。

一种高球形三元前驱体及其制备方法-202111158931.0
发明人：刘刚;焦凯龙;吴静;梁亮亮 -专利权人：宁波容百新能源科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种高球形度三元中小颗粒前驱体及其制备方法，包括以下步骤：配置含有镍钴锰离子的混合盐溶液；在惰性气体保护下，向加有底液的晶种釜中持续加入上述混合盐溶液、烧碱、氨水溶液，并保证反应液的pH为10‑13，经反应得晶种小颗粒；晶种釜通过梯级溢流的方式将晶种小颗粒溢流分散至与其串联或并联的反应釜进行间歇法生产，并控制晶种釜中晶种小颗粒D50的涨幅，待晶种颗粒达到合格粒度后，进行处理得所述的高球形度三元中小颗粒前驱体。本发明的有益效果为：本发明所述的高球形度前驱体的制备方法通过控制减小晶种小颗粒的开机粒度，并且控制前驱体前期的生长速度增大三元前驱体的反应时间，进而增大晶种颗粒间的碰撞次数，从而提高球形度。

LaB6-202310303995.8
发明人：杨新宇;董存超;赵威;王衍;罗时峰;张久兴 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供了一种高性能的LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料及其制备方法，以及包括该材料的阴极器件。在所述LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料，其中LaB6[100]与TiB2的摩尔比为11∶4，LaB6为基体且晶体取向为[100]；TiB2是以纤维形式存在的增强相。所述LaB6[100]‑TiB2共晶复合材料中的晶体均匀、具有非常好的热发射性能。

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发明人：彭聪;宋家琪;柴立元;梁彦杰;闵小波;彭兵;王海鹰;柯勇;刘相恒;刘振兴;周元;赖心婷 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供了一种黑磷砷材料的制备方法，包括：保护性气氛或真空的密闭容器中，将灰砷、红磷和添加剂混合后置于高温区域进行反应，并同步于低温区域结晶沉积，得到黑磷砷材料；其中，所述添加剂包括碘化碲；所述高温区域的温度不低于550℃，所述低温区域的温度为450～530℃；所述黑磷砷材料为黑磷砷单晶。本发明实现了片状黑磷砷单晶的可控合成，且在半导体器件中具有优异的应用性。

系列含氟稀土硼酸盐化合物及含氟稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途-202310301399.6
发明人：俞洪伟;魏志军;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明涉及系列含氟稀土硼酸盐化合物及系列含氟稀土硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途，该系列化合物及其晶体化学通式均为A2REB3O6F2，其中A＝Rb，Cs，NH4；RE＝Sc,Y,La，分子量为247.46‑571.14，该系列晶体属于正交晶系，空间群Amm2，晶胞参数Z＝2，该系列含氟稀土硼酸盐化合物采用固相反应法或水热法合成，该系列非线性光学晶体采用高温熔液法、水热法或溶液法生长。该系列材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。

化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途-202310154913.8
发明人：潘世烈;焦佳豪;张敏;杨志华 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明涉及一种化合物氟硼酸铵铷和氟硼酸铵铷非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物的化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2（0＜x＜2)，采用真空封装法制备；该晶体化学式为(NH4)xRb2‑xB8O12F2（0＜x＜2)，属于正交晶系，空间群为Pna21，单胞参数为a=7.6377(5)±0.04Å,b=11.2135(6)±0.02Å,c=6.6099(3)±0.02Å,Z=2；采用真空封装法，室温溶液法或水热法生长晶体，该晶体紫外透过截止边低于190 nm。非线性光学效应约为KH2PO4（KDP）的1.2‑2.5倍。该晶体制备方法简单，所使用的起始原料毒性低，对人体危害小，物化性质稳定等优点。在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学器件中可以得到广泛应用。

一种对称型低温相偏硼酸钡（β-BBO）晶体、制备方法及应用-202310186372.7
发明人：黄溢声;林州斌;张莉珍;苑菲菲;刘乐辉 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本申请公开了一种对称型低温相偏硼酸钡(β‑BBO)晶体、制备方法及应用，所述对称型β‑BBO晶体为三方对称型；所述对称型β‑BBO晶体包括三个三方锥面S和三个六方柱面P。本申请制备的对称型β‑BBO晶体为三方对称型且等径处晶面完整的β‑BBO晶体，易量产制备得到大尺寸高质量的β‑BBO晶体。

一种光学晶体掺杂方法-202310248421.5
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申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开一种光学晶体掺杂方法，该掺杂方法具体步骤如下：步骤一：以NaBF4,H3BO3及BeO为原料，并添加助溶剂，以及钐、镧、钪、钇，烧结合成NBBF多晶粉末，并通过压制成块，再转入高纯石墨坩埚内融化开始光学晶体的生长，生长结束后，冷却至室温形成光学晶体，随后测定光学晶体的透过曲线；本发明中采用多种元素实现共同掺杂，极大提升了光学晶体的倍频转换效率，同时多个物质的共同掺杂也不会出现排斥、不相容的问题，并且整个制备方法采用常规设备进行操作，整体难度较低，在中小型企业中也能够应用生产，具有良好的实用性，本发明还能够检测光学晶体在生长中的缺陷，保证光学晶体的质量，并在后期还能够对光学晶体的倍频转换效率进行检测。

一种多孔卤氧化镧单晶材料及其制备方法和应用-202210501575.6
发明人：谢奎;刘舒婧;叶灵婷 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本申请公开了一种卤氧化镧多孔单晶材料及其制备方法和应用，本申请通过氧化方式将大尺寸卤化镧单晶转化为多孔卤氧化物单晶，所述卤氧化镧多孔单晶材料中含有10nm～1000nm的孔，开发出大尺寸卤氧化物多孔单晶材料，其在光催化，低碳烷烃氧化偶联中都有潜在的应用。此外，该晶体材料的方法操作简单、重复性好。

一种单晶普鲁士蓝及复合材料的铸造和回收再利用方法-202310197762.4
发明人：胡鸣;张伟;夏玲玲 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种单晶普鲁士蓝及复合材料的铸造和回收再利用方法，其铸造：1）将普鲁士蓝粉末加入酸溶液中，超声直至完全溶解，得到溶液A；2）将溶液A加入到模具中静置反应，直至普鲁士蓝晶体重新固化；3）再依次离心洗涤以及干燥，制得具有模具形状单晶普鲁士蓝；4）将其他材料加入在溶液A中静置反应，直至普鲁士蓝晶体固化；再依次离心洗涤以及干燥，制得单晶普鲁士蓝复合材料；其回收再利用：1）采用上述单晶普鲁士蓝复合材料组装电池；其电化学性能优异，结构稳定，具有良好的应用前景。2）将使用后的电池中普鲁士蓝复合材料取出，放入酸性溶液中，溶解后可再次得到溶液A，对溶液A进行再次铸造，实现单晶普鲁士蓝回收再利用。

一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用-202111106058.0
发明人：景芳丽;李悦;吴以成;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明涉及激光材料技术领域，尤其涉及一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用。本发明提供的铕掺杂硼酸盐激光晶体材料的化学式为：(EuxLa1‑x)2CaB10O19，其中，x的取值范围为：0.001≤x≤0.999。与现有技术相比，本发明具有以下优势：将铕离子掺杂在所述硼酸钙镧晶体中后，具有宽的吸收和荧光光谱，可实现高效的560～720nm波段的大功率激光输出，并且此材料具有良好的非线性光学效应，高的激光损伤阈值。

一种稀土离子掺杂的无序高熵氟化物超快激光晶体及其制备方法与应用-202310124984.3
发明人：王无敌;徐军;薛艳艳;徐子寒;王庆国;唐慧丽;张晨波 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明涉及一种稀土离子掺杂的无序高熵氟化物超快激光晶体及其制备方法与应用，无序高熵激光晶体以Pr:CaSrBaF6、Pr:M1M2CaSrBaF12为代表，其中镨(Pr)离子的掺杂范围为0.003‑0.05(M1、M2为Y,La,Lu,Gd,Sc等三价不发光离子中的一种)。掺杂的稀土发光离子不仅限于Pr离子，还可包括其他发光离子如Yb,Nd,Er,Ho,Tm,Dy,Tb等。以Pr:CaSrBaF6、Pr:M1M2CaSrBaF12晶体为代表，与其他氟化物相比，具有更加无序分布的局域结构，能够实现3H6和3F2、3F3和3F4相近下能级合并和交叠，达到荧光谱线的重迭、非均匀加宽的效果。与现有技术相比，本发明的晶体材料能实现镨离子掺杂激光晶体的可见波段的超宽带发射，解决目前镨离子掺杂激光晶体荧光带窄的难题，加快可见波段全固态飞秒超快激光的研发及在生物医疗、光通信方面的应用。

一种含氟无机化合物晶体及其制备方法和应用-202111370724.1
发明人：唐宏鑫;傅瑞标;吴新涛 -专利权人：闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种无机非线性光学晶体，涉及一种水合氟钨酸钾非线性光学晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式是K2WO3F2·H2O，属于单斜晶系，空间群为Pm，晶胞参数是α＝γ＝90°，β＝98.453(9)，采用简单的水热法生长出了纯相的水合氟钨酸钾晶体。该晶体在可见‑近红外光区具有高的光学反射率，其粉末倍频强度约为KH2PO4(KDP)的6倍，并能够实现相位匹配。该晶体易于合成、稳定性好、不潮解、机械性能良好，在全固态激光器、光电调制器等领域具有潜在的应用价值。

化合物羟基氟化硼酸铵和羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途-202310154647.9
发明人：潘世烈;杨志华;程孟 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明提供一种化合物羟基氟化硼酸铵双折射晶体及制备方法和用途，所述化合物的化学式为(NH4)2B3O3F4(OH)，分子量为209.52，采用水热法或室温溶液法制成，属于单斜晶系，空间群为C2/c，晶胞参数为a=20.151(9)Å，b=7.770(3)Å，c=11.519(5)Å，α=90°，β=117.225(5)°，γ=90°，单胞体积为1603.7(12)Å3,采用水热法或室温溶液法生长晶体，通过该方法获得的(NH4)2B3O3F4(OH)双折射晶体，紫外截止边低于200 nm，双折射率为0.049@1064 nm，该晶体的化学稳定性良好，能够用于制作各种用途的偏光棱镜，相位延迟器件和电光调制器件，例如，格兰棱镜、偏振分束器、补偿器、光隔离器环形器和光学调制器等，在光学和通讯领域有重要作用。

高长径比的α-半水硫酸钙晶须及其制备方法和应用-202210526313.5
发明人：黄佳;王心雨;崔志安;王志杰;代泓泳;陈叶;金应荣;贺毅;冯宁博 -专利权人：西华大学
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种高长径比的α‑半水硫酸钙晶须及其制备方法和应用，该α‑半水硫酸钙晶须制备方法包括：在碱性环境下，将钛石膏在复合晶型助长剂的作用下进行水热反应；其中，复合晶型助长剂包括镁盐和十二烷基盐。通过采用上述复合晶型助长剂，利用Mg2+嵌入晶格取代(200)晶面上的Ca2+降低Ca2+在该晶面上的吸附，同时利用碱性环境下OH‑促进十二烷基盐选择性吸附，两者共同作用促进了α‑半水硫酸钙晶须沿c轴定向生长，提高了晶须长径比，较现有其他碱性环境下制备的α‑半水硫酸钙晶须，晶须产率更高，形貌更均匀。且在碱性环境中进行反应，无需除杂步骤，且不会产生工业废酸，绿色环保。该α‑半水硫酸钙晶须在建材、纸张、橡胶或塑料中作为增强组元或增韧组元具有很好的应用前景。

氟化碳酸锂钾双折射光学晶体及其制备方法和用途-202211553261.7
发明人：刘莉莉;胡兆炜;王欢;徐家跃;孟雨 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C30B29/10
摘要：本发明公开了一种氟化碳酸锂钾双折射光学晶体及其制备方法和用途。氟化碳酸锂钾的化学式为Li2KCO3F，分子量131.99。所述双折射光学晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群P6322。制备方法采用固相反应法合成化合物，采用高温熔液法生长晶体。该晶体为正单轴晶体，透过范围为200‑2600nm；双折射为0.133(@1064nm)；晶体易于生长、易于切割、易于研磨、易于抛光和易于保存，在空气中稳定，不易潮解；可用于制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、洛匈棱镜或光束分离偏振器等偏振分束棱镜，在光学和通讯领域有重要应用。

专利分类

C 化学；冶金

C30 晶体生长
C30B 单晶生长
C30B29-00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29-02 .元素
C30B29-10 .无机化合物或组合物
C30B29-54 .有机化合物
C30B29-60 .以形状为特征的
C30B29-62 ..晶须或针状结晶

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[发明专利]一种热电材料钴酸钡块体单晶及其制备方法在审

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