[发明专利]基于机器视觉的MOSFET蚀刻缺陷检测方法在审
| 申请号： | 202311182136.4 | 申请日： | 2023-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN116934744A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李伟;高苗苗 | 申请（专利权）人： | 深圳市冠禹半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06T7/13;G06T7/60;G06V10/762 |
| 代理公司： | 深圳海豚知识产权代理事务所(普通合伙) 44952 | 代理人： | 钟兆花 |
| 地址： | 518128 广东省深圳市宝安区航*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及图像处理领域，具体涉及基于机器视觉的MOSFET蚀刻缺陷检测方法，采集MOSFET蚀刻灰度图像；根据各像素点八邻域内像素点的灰度信息得到各像素点的递变规律显著走势；根据各像素点邻域窗口内像素点的递变规律显著走势得到各像素点的槽口区域疑似度；根据各像素点的槽口区域疑似度得到各像素点的槽口缺陷疑似度；根据各像素点的槽口缺陷疑似度得到MOSFET蚀刻缺陷程度；根据MOSFET蚀刻缺陷程度及缺陷阈值，完成MOSFET蚀刻缺陷检测。实现了MOSFET蚀刻缺陷检测，提高了对缺陷边缘点检测精度，避免了将缺陷内部光滑平坦的纹理识别为MOSFET蚀刻正常表面，提升了算法的准确率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 机器 视觉 mosfet 蚀刻 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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