[发明专利]接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置在审
申请号: | 202311196611.3 | 申请日: | 2023-09-18 |
公开(公告)号: | CN116937194A | 公开(公告)日: | 2023-10-24 |
发明(设计)人: | 汪昌州;宋维聪 | 申请(专利权)人: | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01R4/64 | 分类号: | H01R4/64;H05K7/20;C23C14/35;C23C14/16 |
代理公司: | 上海博杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 31358 | 代理人: | 朱永梅 |
地址: | 201201 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种接地端子底座及包含其的磁控溅射电介质薄膜沉积装置。接地端子底座包括座体;座体呈圆台形并具有与沉积装置的晶圆承载台安装配合的安装孔;座体顶部设有沿其轴向延伸且呈阵列排列并用于增大比表面积且能够阻挡溅射物质到达孔底的沉积孔;沉积孔为锥形孔且其底端直径为其顶端直径的1.2倍;沉积孔的孔深大于或者等于沉积孔的顶端直径的2倍。本发明实施例通过在接地端子底座上形成呈阵列排列的孔结构使其具有足够大的比表面积,使得沉积过程中晶圆附近的工艺腔室表面的电荷密度显著降低,其表面电压接近接地电压,维持等离子体放电稳定进行,避免出现薄膜沉积速率及薄膜性能的偏离。 | ||
搜索关键词: | 接地 端子 底座 包含 磁控溅射 电介质 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海陛通半导体能源科技股份有限公司,未经上海陛通半导体能源科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202311196611.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。