[发明专利]铁电半导体器件、触觉传感存储器及触觉数据读写方法在审

专利信息
申请号: 202311208196.9 申请日: 2023-09-19
公开(公告)号: CN116940226A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 薛飞;王宝玉;俞滨 申请(专利权)人: 浙江大学杭州国际科创中心
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10N70/00;H10B63/00;H10N79/00;G11C11/22
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 姚宇吉
地址: 310000 浙江*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了一种铁电半导体器件、触觉传感存储器及触觉数据读写方法,铁电半导体器件包括:介电质层,介电质层包括第一表面和相对的第二表面;铁电半导体沟道层,设置在介电质层的第一表面;源电极及漏电极,分别设置在所述铁电半导体沟道层第一表面的两侧;背栅电极,设置在所述介电质层的第二表面;单电极摩擦起电层,设置在所述背栅电极的第二表面;所述单电极摩擦起电层通过负载电阻与源电极相连。通过改变施加触觉应力大小,使得铁电晶体管能够接收到不同大小的脉冲电压信号,实现触觉可反复且不同程度地调控沟道材料铁电极化方向,进而可调节铁电晶体管的电阻切换特性,使其展示出多种电导态,最终开发出可触觉感知与存储的铁电器件。
搜索关键词: 半导体器件 触觉 传感 存储器 数据 读写 方法
【主权项】:
暂无信息
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