[实用新型]一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器有效
| 申请号： | 202321177788.4 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN219609379U | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 马向;李少波;何剑涛;梁晓东;齐合飞;于文琦;丁跃迪;刘博缘;杨瑾 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所;中国电子科技集团公司第三十四研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路58*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地‑信号‑地行波电极。本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 型容性 调谐 电极 薄膜 铌酸锂 调制器 | ||
【主权项】：
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