一种光电导装置

专利号：CN202011374359.7

公布日：2021-03-09

申请人：刘慧

晶体材料的重结晶方法

专利号：CN202211318594.1

公布日：2023-01-13

申请人：中国科学院半导体研究所

一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法

专利号：CN201110241438.5

公布日：2012-01-18

申请人：中国科学院半导体研究所

基于注意力机制的材料晶体属性预测方法

专利号：CN202211412413.1

公布日：2023-07-11

申请人：中南大学

一种晶体材料红外性能预测方法及系统

专利号：CN202210413220.1

公布日：2022-07-15

申请人：北京航空航天大学

一种光子晶体复合结构及半透明有机太阳能电池

专利号：CN202010854365.6

公布日：2020-11-13

申请人：上海大学

一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法

专利号：CN201110431555.8

公布日：2012-06-27

申请人：中国科学院半导体研究所

一种晶体材料熔化方法及熔化设备

专利号：CN201810606969.1

公布日：2018-11-06

申请人：江苏星特亮科技有限公司

D-A型有机掺杂晶体余辉材料在油中的应用

专利号：CN201910070702.X

公布日：2021-05-28

申请人：天津大学

一种晶体材料光学性能的获取方法

专利号：CN202110554561.6

公布日：2022-11-22

申请人：中国科学院福建物质结构研究所

具有异质结和改进的沟道控制的FinFET

专利号：CN201480024529.5

公布日：2018-07-24

申请人：美商新思科技有限公司

硅酸镓镧晶体元件的生产方法

专利号：CN201010147972.5

公布日：2010-09-15

申请人：东海县海峰电子有限公司

一种形状记忆光子晶体材料及其制备方法

专利号：CN201611031784.X

公布日：2018-12-21

申请人：深圳先进技术研究院

基于X射线衍射全谱的多晶材料残余应力测量方法

专利号：CN201410177546.4

公布日：2015-11-04

申请人：上海理工大学

二维晶体吸附气体的方法及应用

专利号：CN202310553418.4

公布日：2023-08-18

申请人：南京大学