控制介电抗反射层特性的方法及介电抗反射层的制造方法

专利号：CN200410088689.4

公布日：2006-05-24

申请人：旺宏电子股份有限公司

电极的制备方法

专利号：CN202010248291.1

公布日：2023-07-04

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

介电抗反射涂层的形成方法及光刻方法

专利号：CN201110383472.6

公布日：2013-06-05

申请人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

低通孔双大马士革结构的制备方法

专利号：CN202111576126.X

公布日：2022-04-01

申请人：华虹半导体（无锡）有限公司

一种接触孔的制备方法

专利号：CN201810336343.3

公布日：2019-10-29

申请人：武汉新芯集成电路制造有限公司

反射结构及GaN基薄膜型结构LED芯片

专利号：CN202120117254.7

公布日：2021-09-28

申请人：晶能光电（江西）有限公司

倒装LED芯片

专利号：CN202120117251.3

公布日：2021-09-28

申请人：晶能光电（江西）有限公司

反射电极及其制备方法、有机发光二极管和显示装置

专利号：CN201910005017.9

公布日：2019-05-07

申请人：京东方科技集团股份有限公司

发光器件、发光器件封装以及照明系统

专利号：CN201010621735.8

公布日：2011-09-28

申请人：LG伊诺特有限公司

相位改变光盘

专利号：CN99119752.6

公布日：2000-04-05

申请人：株式会社SKC

多层式抗反射层以及采用该多层式抗反射层的半导体制程

专利号：CN03141061.8

公布日：2005-01-19

申请人：南亚科技股份有限公司

具反射层的发光组件及其反射层的结构

专利号：CN200810210550.0

公布日：2010-03-03

申请人：璨圆光电股份有限公司

发光二极管的反射层

专利号：CN201980016062.2

公布日：2020-10-16

申请人：克利公司

一种提高接触孔/通孔多次光刻重复性的方法

专利号：CN201110386886.4

公布日：2012-05-02

申请人：上海华力微电子有限公司

具反射层的发光组件及其反射层的结构

专利号：CN200910131536.6

公布日：2010-10-13

申请人：璨扬投资有限公司