[发明专利]一种接触孔的制备方法在审
| 申请号： | 201810336343.3 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110391175A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈凡;李秋智 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一复合晶圆，复合晶圆把包括由下至上依次堆叠的衬底、介质层、无定型碳层、介电抗反射层和底部抗反射层；步骤S2，于复合晶圆的上表面制备具有一预设图形的光阻层；步骤S3，对光阻层的预设图形暴露出的复合晶圆进行刻蚀，直至形成延伸至衬底中的接触孔的通孔；其中，步骤S3中，刻蚀复合晶圆中的无定型碳层之前，采用一等离子体刻蚀工艺刻蚀底部抗反射层形成具有一窄口的聚合物层；无定型碳层的厚度为2800A～3200A；介电抗反射层的厚度为300A～340A；能够改善接触孔制备过程中造成的接触孔缺陷的情况，保证了接触孔的电性连接性能，实现简单。 | ||
| 搜索关键词： | 接触孔 复合晶 无定型碳层 刻蚀 制备 底部抗反射层 介电抗反射层 预设图形 衬底 半导体技术领域 等离子体刻蚀 电性连接性能 聚合物层 制备过程 光阻层 介质层 上表面 堆叠 通孔 窄口 阻层 暴露 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一复合晶圆，所述复合晶圆把包括由下至上依次堆叠的衬底、介质层、无定型碳层、介电抗反射层和底部抗反射层；步骤S2，于所述复合晶圆的上表面制备具有一预设图形的光阻层；步骤S3，对所述光阻层的所述预设图形暴露出的所述复合晶圆进行刻蚀，直至形成延伸至所述衬底中的接触孔的通孔；其中，所述步骤S3中，刻蚀所述复合晶圆中的所述无定型碳层之前，采用一等离子体刻蚀工艺刻蚀所述底部抗反射层形成具有一窄口的聚合物层；所述无定型碳层的厚度为2800A～3200A；所述介电抗反射层的厚度为300A～340A。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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