[发明专利]形成导电通孔以具有与屏蔽层的增强接触的方法和半导体器件在审
| 申请号： | 201910307482.8 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110391176A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | S.S.金;D.H.哈;S.M.朴 | 申请（专利权）人： | 新科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘茜璐;闫小龙 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成导电通孔以具有与屏蔽层的增强接触的方法和半导体器件。半导体器件具有衬底，该衬底具有以偏移图案穿过衬底而形成的多个导电通孔。电组件设置在衬底的第一表面之上的管芯附接区域中。导电通孔绕衬底的管芯附接区域而形成。在衬底的第一表面上形成第一导电层，并在第二表面上形成第二导电层。密封剂沉积在衬底和电组件上。衬底通过导电通孔单片化。第一导电通孔具有比第二导电通孔更大的暴露表面积。屏蔽层形成在电组件之上并与导电通孔的侧表面进行接触。屏蔽层可以在与衬底的第一表面相对的衬底的第二表面之上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 导电通孔 屏蔽层 半导体器件 第一表面 电组件 第二表面 附接区域 管芯 第二导电层 第一导电层 偏移 侧表面 单片化 密封剂 沉积 穿过 图案 暴露 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，包括：提供包括多个导电通孔的衬底，所述导电通孔以偏移图案穿过所述衬底而形成；将电组件设置在衬底的第一表面上的管芯附接区域中；通过导电通孔将衬底单片化；和将屏蔽层形成在电组件上并与导电通孔的侧表面进行接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋私人有限公司，未经新科金朋私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910307482.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
