半导体芯片第一层金属阻挡层的制造方法

专利号：CN201210302580.0

公布日：2014-03-12

申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

非挥发性存储器及其制造方法

专利号：CN201510106006.1

公布日：2019-07-09

申请人：力晶科技股份有限公司

单光子雪崩二极管

专利号：CN202111424193.X

公布日：2022-04-05

申请人：神盾股份有限公司

单光子雪崩二极管

专利号：CN202122934919.6

公布日：2022-07-15

申请人：神盾股份有限公司

半导体发光结构

专利号：CN201110169117.9

公布日：2012-11-21

申请人：广镓光电股份有限公司

半导体器件及其制造方法

专利号：CN201010167317.6

公布日：2010-10-20

申请人：日本优尼山帝斯电子株式会社

异质结太阳能电池及其制造方法

专利号：CN201510088404.5

公布日：2016-10-05

申请人：新日光能源科技股份有限公司

半导体装置

专利号：CN202110226708.9

公布日：2022-03-18

申请人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

半导体装置

专利号：CN202210790718.X

公布日：2023-09-29

申请人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

半导体装置

专利号：CN201080037940.8

公布日：2012-05-30

申请人：三垦电气株式会社

发光器件和照明系统

专利号：CN201510516402.1

公布日：2019-11-26

申请人：LG伊诺特有限公司

内连线结构及其制造方法

专利号：CN201710606309.9

公布日：2020-11-10

申请人：旺宏电子股份有限公司

标称截面为50mm²的紧凑型导线

专利号：CN200920211417.7

公布日：2010-08-11

申请人：上海汉威康桥电线电缆有限公司

标称截面为70mm²的紧凑型导线

专利号：CN200920211860.4

公布日：2010-08-11

申请人：上海汉威康桥电线电缆有限公司

一种半导体光源及其驱动电路

专利号：CN202110857072.8

公布日：2021-11-02

申请人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司