[发明专利]基于微控制器的控制方法、装置、设备及介质有效
申请号: | 202310403706.1 | 申请日: | 2023-04-17 |
公开(公告)号: | CN116126397B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 李德建;冯曦;谭浪;杨立新;刘畅;黎金旺 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司 |
主分类号: | G06F9/22 | 分类号: | G06F9/22;G06F9/30;G06F13/16;G06F13/28 |
代理公司: | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人: | 刘真 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 控制器 控制 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种基于微控制器的控制方法,其特征在于,所述微控制器包括中央处理器、闪存Flash和静态随机存取存储器SRAM,所述方法包括:
控制所述中央处理器通过所述微控制器的目标引脚读取输入值;
响应于所述输入值与预设引脚值匹配,将储存在所述Flash中的目标指令程序搬移至所述SRAM,并通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式设置为SRAM启动;
控制所述中央处理器至少从所述SRAM中读取所述目标指令程序并执行;
所述预设引脚值用于指示所述微控制器的启动模式为Flash启动;所述将储存在所述Flash中的目标指令程序搬移至所述SRAM之前,所述方法还包括:
通过所述中央处理器获取所述Flash中第一指定区域中的功能状态标志和搬移区域标志;
所述将储存在所述Flash中的目标指令程序搬移至所述SRAM,包括:
若确定所述功能状态标志指示快速启动功能,且所述搬移区域标志指示所述目标指令程序存储在所述Flash的第二指定区域,则将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM,包括:
通过所述微控制器中的直接存储器访问DMA控制器,将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微控制器还包括只读存储器ROM;
所述将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM之前,所述方法还包括:
控制所述微控制器中的目标寄存器更新所述目标寄存器的存储值为第一输出值;
响应于所述第一输出值与第一预设有效值匹配,通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式更新为ROM启动;
所述将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM,包括:
通过所述中央处理器读取并执行所述ROM中的搬移程序,以将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述通过所述中央处理器读取并执行所述ROM中的搬移程序,以将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM之前,所述方法还包括:
通过所述中央处理器从所述Flash中的第三指定区域获取目标状态位,所述目标状态位根据所述功能状态标志得到;
所述通过所述中央处理器读取并执行所述ROM中的搬移程序,以将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM,包括:
若确定所述目标状态位指示所述搬移程序,则通过所述中央处理器读取并执行所述搬移程序,以将所述目标指令程序从所述第二指定区域搬移至所述SRAM。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式设置为SRAM启动之前,包括:
通过所述中央处理器向所述微控制器中的目标寄存器发送写目标寄存器信息,所述写目标寄存器信息用于将所述目标寄存器的存储值设置为第二输出值;
所述通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式设置为SRAM启动,包括:
响应于所述第二输出值与第二预设有效值匹配,通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式设置为SRAM启动。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述SRAM在所述微控制器的启动模式为SRAM启动时的起始地址为0x0地址。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述控制所述中央处理器至少从所述SRAM中读取所述目标指令程序并执行之后,所述方法还包括:
通过所述中央处理器将所述微控制器的启动模式更新为Flash启动。
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