[发明专利]与非型闪存器件的擦除确认方法及其与非型闪存器件无效
| 申请号： | 200510088151.8 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1773629A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/14;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种NAND型闪存器件的擦除确认方法及其NAND型闪存器件，其中擦除确认操作通过施加正电压作为源极电压而被执行。考虑到由于各种因素而转变的擦除单元的临界电压的变化宽度，擦除单元的负临界电压可被稳定地确认。由此，甚至当擦除单元的临界电压由于后续程序操作中的干扰而转变时，失效单元的数目可被减低。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 擦除 确认 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种擦除确认方法，包括：提供一种NAND型闪存器件，其包括：多个存储单元，所述多个存储单元彼此串连且通过字线被选择；第一晶体管，用以连接于位线与多个存储单元的第一存储单元之间；和第二晶体管，其连接于源极端和多个存储单元的最后存储单元之间；和施加0V至该字线且施加正电压至位线与源极端。
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