[发明专利]热解石墨基片上微结构的实现方法

摘要

本发明公开一种微机电技术领域的热解石墨基片上微结构的实现方法，采用热解石墨作为基片，对基片进行平整化、清洗、绝缘化处理以及再清洗；在热解石墨基片背面做光刻对准标记，通过多层套刻，实现多层结构或高深宽比结构；在基片正面溅射金属薄膜作为种子层，甩正胶，光刻、显影，制作电镀模具，电镀结构层，经两次甩正胶、光刻、显影和电镀后，去正胶、超声清洗、溅射氧化铝，而后研磨基片并做清洁处理；在氧化铝上溅射金属薄膜作种子层，再在种子层上甩SU8负胶，通过光刻、显影和电镀，去SU8负胶，去氧化铝，实现热解石墨上制作高深宽比微结构。本发明基片材料新颖，加工器件具有特殊性能。

主权项

1.一种热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步，采用正胶工艺以及SU8负胶和准LIGA技术，采用热解石墨作为基片，在加工前对基片做平整化、清洗、绝缘化以及再清洗准备工作；第二步，在热解石墨基片一面做光刻用背面对准标记，该面为背面，以后每层结构的光刻均使用双面曝光的光刻机，同时背面对准标记进行对焦，通过多层套刻，实现多层结构或高深宽比结构；第三步，热解石墨在基片经过准备工作以及背面做好背面对准标记后，在基片另一面为正面，溅射金属薄膜作为种子层，在种子层上甩正胶，光刻、显影后，制作电镀结构层的模具；第四步，在电镀结构层的模具中的种子层上电镀结构层，经两次甩正胶、光刻、显影和电镀后，去正胶、超声清洗、溅射氧化铝，而后研磨基片并做清洁处理；第五步，在氧化铝上溅射金属薄膜作种子层，再在种子层上甩SU8负胶，通过光刻、显影和电镀，去SU8负胶，去氧化铝，实现热解石墨上制作高深宽比微结构。