[发明专利]存储器编程方法及存储器有效
| 申请号： | 200910009657.3 | 申请日： | 2009-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101685674A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 廖惇雨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储器编程方法及存储器，存储器包括多列存储单元，每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第n列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程，n为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程，则施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，否则施加对应于第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器编程方法，该存储器包括多个列存储单元，每一个存储单元包括二个半单元，其特征在于，该存储器编程方法包括：判断一第n列存储单元的一欲编程存储单元的二个半单元是否均需被编程，n为正整数；以及若该欲编程存储单元的该二个半单元均需被编程，则施加对应于该第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程该欲编程存储单元，否则施加对应于该第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程该欲编程存储单元，该第二初始编程偏压高于该第一初始编程偏压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910009657.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 用于快闪存储器的负电压开关电路-201510009259.7
- 權彞振;倪昊;殷常伟;高龙辉 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
- 2015-01-08 - 2019-10-25 - G11C16/12
- 本发明提供一种用于快闪存储器的负电压开关电路。所述负电压开关电路包括外部电源开关单元、内部电源开关单元以及阱偏压开关单元，其中，所述阱偏压开关单元包括电平转换器和晶体管，所述晶体管受使能信号以及外部电源电压的影响而导通或截止，用于提供阱偏压控制。本发明所提供的用于快闪存储器的负电压开关电路包括三层负电源开关，可以通过逻辑信号传输外部和内部电源电压，在高负偏压和地电压之间快速切换。
- 存储设备-201821837627.2
- A·K·特里帕希;A·弗玛;A·格罗弗;D·K·比哈尼;T·罗伊;T·阿格拉瓦尔 - 意法半导体国际有限公司
- 2018-11-08 - 2019-07-23 - G11C16/12
- 本公开涉及存储设备，具体涉及低压主从触发器，更具体地涉及一种主从触发器存储电路，其在主锁存的输入处具有部分传送门晶体管。部分传送门晶体管包括上拉时钟使能晶体管，用于选择性地将测试开关的高输出耦合至主锁存器的输入。主锁存器的输入还直接耦合至部分传送门周围的测试开关的低输出。此外，提供了一种修改的电路布局，其中主锁存器具有三个反相器。第一反相器耦合至主锁存器的输入。第二和第三反相器耦合至第一反相器的输出，第二反相器具有耦合至第一反相器的输入的输出，并且第三反相器具有耦合至主锁存器的输出的输出。第一和第二反相器是时钟使能的，并且第三反相器是复位使能的。
- 电压切换电路-201410794609.0
- 柏正豪 - 力旺电子股份有限公司
- 2014-12-18 - 2019-04-12 - G11C16/12
- 一种电压切换电路，包括：多个晶体管、第一控制电路与第二控制电路。第一晶体管的源极连接至一第一电压源，栅极连接至一节点b1。第二晶体管的源极连接至该第一晶体管的漏极，栅极接收一致能信号，漏极连接至一节点b2。第三晶体管的源极连接至该节点b2，栅极连接至一第二电压源，漏极连接至输出端。第一控制电路，连接至该节点b1；而第二控制电路，连接至该输出端。
- 包括多个电源轨的存储器件和操作其的方法-201810809422.1
- 金荣华;吴台荣;张晋熏;赵席振;河庆洙 - 三星电子株式会社
- 2018-07-20 - 2019-01-29 - G11C16/12
- 一种存储器件，具有多个电源轨，包括：第一电源轨，用于传递高电源电压，第二电源轨，用于传递低电源电压，第三电源轨，用于经过第一动态电压和频率调整(DVFS)开关来从第一电源轨接收高电源电压并且用于经过第二DVFS开关来从第二电源轨选择性地接收低电源电压，第四电源轨，连接到第一电源门控(PG)开关，用来从第三电源轨选择性地接收高电源电压或低电源电压，第一电路块，连接到第四电源轨以接收应用了DVFS和PG的电源电压。当应用了电源门控时，阻断第四电源轨的电源电压的供应。
- 一种存储器的电压控制电路及存储器-201820299119.7
- 陶胜 - 四川省豆萁科技股份有限公司
- 2018-03-02 - 2018-11-06 - G11C16/12
- 本申请公开了一种存储器的电压控制电路及存储器。该电压控制电路，包括：n个串联电阻以及n个位置开关组成的分压电路，n个位置开关分别与存储器中存储单元阵列的位置对应，n为正整数；串联电阻一端的输入电压为存储器的基准电压，串联电阻另一端的输入电压为基准电压与预设电压差的和；所述n个串联电阻分别通过所述n个位置开关与存储电的全局电压线连接。本申请解决了NOR闪存存储阵列中，相隔较远的存储单元在写入数据的过程中产生域值电压分布不一致的问题。
- 非易失性存储器件及其高压开关电路-201810017036.9
- 宋仲镐;劝兑晎;李耀翰 - 三星电子株式会社
- 2018-01-08 - 2018-07-17 - G11C16/12
- 一种非易失性存储器件的高压开关电路包括高压晶体管、逻辑和高压开关。高压晶体管基于编程启动电压而导通，并且向第一存储块传送编程电压。所述逻辑基于使能信号和开关控制信号来产生路径选择信号，所述开关控制信号基于非易失性存储器件的操作参数或针对第一存储块的至少一部分的存取地址之一。在第一存储块上的编程操作期间激活所述使能信号。高压开关基于路径选择信号经由多个传送路径之一来向高压晶体管的栅极传送编程启动电压。结果，消除了由编程启动电压产生的负偏置温度不稳定性(NBTI)的影响。
- 高压开关电路-201610005274.9
- 罗光燕;倪昊;高龙辉;郁红 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 2016-01-05 - 2017-07-11 - G11C16/12
- 一种高压开关电路，第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底均适于接收高压信号，第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极和第一输出端，第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第二输出端；第一NMOS管的栅极连接第一与非门的输出端，第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的源极和第一反相器的输出端，所述第一NMOS管的衬底接收第一电压；所述第二NMOS管的栅极连接所述第二与非门的输出端和第一与非门的第一输入端，所述第二NMOS管的衬底接收所述第一电压；所述第一与非门的第二输入端连接第一与非门的第二输入端、第一反相器的输入端和控制电路的输出端；控制电路适于根据高压信号和预设电压，通过控制电路的输出端输出控制信号。
- 存储器及其驱动电路、向存储器执行写入操作的方法-201210564401.0
- 胡剑;杨光军 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2012-12-21 - 2017-04-26 - G11C16/12
- 本发明涉及一种存储器及其驱动电路、一种向存储器执行写入操作的方法。该存储器包括驱动电路，所述的驱动电路包括升压电路、分压电路、比较电路及控制电路，其中，控制电路根据被选中执行写入操作的存储单元的位线电流对所述分压电路中输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。该方法包括当向被选中的存储单元执行写入操作时，根据被选中的存储单元的位线电流对分压电路中向所述比较电路输出比较电压的阻抗元件的阻值进行调整。存储器的驱动电路能够直接产生所需的编程电压，降低了存储器外围驱动电路的损耗，进一步提高了存储器写入操作的工作效率。
- NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置-201510993417.7
- 苏志强;陈立刚;谢瑞杰 - 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
- 2015-12-24 - 2016-07-20 - G11C16/12
- 本发明实施例提供了一种NAND FLASH擦写衰退的补偿方法和补偿装置，补偿方法包括：确定NAND FLASH中进行擦写操作的当前块；更新当前块的擦写次数；根据更新后的擦写次数选择擦写条件，并根据擦写条件设置当前块的初始写电压和初始擦除电压。本发明实施例针对不同块的不同擦写次数分别设置写电压和擦除电压，从而可以防止由于cell本身衰退造成的擦写失败或者操作margin减小，有效增加了NAND FLASH的使用寿命，提高了NAND FLASH的性能和可靠性。
- 一种电压切换方法和装置-201410172085.1
- 胡洪;王林凯 - 北京兆易创新科技股份有限公司
- 2014-04-25 - 2015-11-25 - G11C16/12
- 本发明提供了一种电压切换方法和装置，以解决由电压生成器提供不同电压切换、建立时间比较长的问题。所述的方法包括：依据操作指令判断当前的存储器状态，其中，所述存储器状态包括编程状态和校验状态；当所述存储器状态为编程状态时，由切换器控制通路连接输出由电压生成器产生的第一电压；当所述存储器状态为校验状态时，由所述切换器控制通路连接输出第二电压，其中，所述第二电压是所述电压调整器对所述电压生成器产生的第一电压调整后生成的。编程和编程校验的供电切换过程中无需电压生成器自主切换，使得电压切换过程更加顺畅、快速，减少了电压切换，提高了操作指令的执行效率。
- NAND闪速存储器中的分级共同电源线结构-201310491463.8
- 潘弘柏;金镇祺 - 莫塞德技术公司
- 2008-12-19 - 2014-02-26 - G11C16/12
- 一般的NAND闪速单元块中的每个存储器单元串连接到共同电源线（CSL）。要施加到CSL上的值集中产生并将其分布到对应于每个NAND闪速单元块的本地开关逻辑单元。对于电源线页面编程，分布线可称为全局共同电源线（GCSL）。NAND闪速单元块的阵列中，一次只选择一个NAND闪速单元块进行编程。为了降低功耗，只有所选NAND闪速单元块接收CSL线上的值，该值指示GCSL上的值。此外，可通过激活的到地连接禁用未选NAND闪速单元块的CSL。
- 闪烁多电平阈值分布方案-201310460506.6
- 金镇祺 - 莫塞德技术公司
- 2007-09-12 - 2014-01-22 - G11C16/12
- 一种用于多电平闪烁单元的阈值电压分布方案，其中擦除阈值电压和至少一个编程阈值电压位于擦除电压域中。擦除电压域中的至少一个编程阈值电压降低了Vread电压电平，以最小化读出干扰效应，由于编程的状态之间的阈值电压距离被最大化，则延长了多电平闪烁单元的寿命长度。擦除电压域可以低于0V，而编程电压域大于0V。因此，用于编程验证和读出具有擦除电压域和编程电压域中的编程阈值电压的多电平闪烁单元的电路使用负和正的高电压。
- 存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法-201180039043.5
- 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·S·桑胡 - 美光科技公司
- 2011-07-11 - 2013-05-08 - G11C16/12
- 在一个方面中，一种操作存储器单元的方法包含使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。在一个方面中，存储器单元包含具有接纳于其之间的材料的第一及第二相对电极。所述材料具有相对于彼此为不同组成的第一及第二横向区域。沿着所述材料的两个横向相对边缘中的一者接纳所述第一及第二横向区域中的一者。沿着所述材料的所述两个横向相对边缘中的另一者接纳所述第一及第二横向区域中的另一者。所述第一及第二横向区域中的至少一者能够重复地编程到至少两个不同电阻状态。本发明揭示其它方面及实施方案。
- 晶体管装置和集成电路-201110395091.X
- K.克诺布洛克;R.施特伦茨 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2011-12-02 - 2012-06-06 - G11C16/12
- 本发明涉及晶体管装置和集成电路。一种晶体管装置包括开关晶体管和感测晶体管。所述开关晶体管包括电荷存储结构和控制结构。所述感测晶体管包括电荷存储结构、控制结构和选择结构。所述开关晶体管的电荷存储结构电气连接至所述感测晶体管的电荷存储结构。所述感测晶体管被配置为使得可以彼此独立地对所述感测晶体管的选择结构和控制结构进行电气控制。
- 半导体存储器件及其操作方法-201110254528.8
- 具旼奎 - 海力士半导体有限公司
- 2011-08-31 - 2012-03-21 - G11C16/12
- 本发明公开了一种存储器件包括：模块开关，所述模块开关用于响应于模块选择信号的电压电平来将供应给全局线的操作电压传送至与存储器单元阵列相耦接的局部线；以及负电压传送电路，所述负电压传送电路用于传输负电压作为模块选择信号以在当操作电压具有负电平时将全局线与局部线耦接，而在当模块选择信号被禁止时使全局线与局部线断开。
- 电荷泵系统及存储器编程电路-201010111192.5
- 杨光军 - 上海宏力半导体制造有限公司
- 2010-02-10 - 2011-08-10 - G11C16/12
- 一种电荷泵系统及存储器编程电路。所述存储器编程电路包括电荷泵选择单元、时钟驱动单元、电荷泵单元、地址译码单元以及存储阵列，所述时钟驱动单元与电荷泵单元均包含有多个子单元，其中：电荷泵选择单元基于数据信息确定需要进行编程的存储单元数量，并向时钟驱动单元对应的时钟驱动子单元提供开启信号；时钟驱动单元的时钟驱动子单元基于电荷泵选择单元的开启信号分别开启，并向电荷泵单元的对应电荷泵子单元提供驱动信号；电荷泵单元的电荷泵子单元基于驱动信号分别开启并提升电压，向地址译码单元选中的存储阵列提供编程电压。
- 存储器编程方法及存储器-200910009657.3
- 廖惇雨 - 旺宏电子股份有限公司
- 2009-02-02 - 2010-03-31 - G11C16/12
- 本发明公开了一种存储器编程方法及存储器，存储器包括多列存储单元，每一个存储单元包括二个半单元。存储器编程方法包括下列步骤。判断第n列存储单元的一欲编程单元的二个半单元是否均需被编程，n为正整数。若欲编程存储单元的二个半单元均需被编程，则施加对应于第n列存储单元的第一初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，否则施加对应于第n列存储单元的第二初始编程偏压以编程此欲编程存储单元，第二初始编程偏压高于第一初始编程偏压。
- 非易失性存储器和补偿沿字线的压降的方法-200880010889.4
- D·C·谢卡尔;M·L·穆伊;N·穆柯勒斯 - 桑迪士克公司
- 2008-03-14 - 2010-03-17 - G11C16/12
- 由于沿着跨越存储器平面的字线的时间常数的变化而导致的编程效力的变化通过调整该平面两端的位线电压而改变编程速率来补偿。通过这种方式，在对耦合到字线的一组存储单元进行编程的过程中，编程效力的变化显著减少。这将允许贯穿该组存储单元的编程的一致优化并且减少对该组存储单元编程所需的编程脉冲的数量，从而改善性能。在一实施例中，在编程过程中，存储器平面的第一半个部分中更接近字线电压源的位线通过第一电压转换器被设置为第一电压，而存储器平面的第二半个部分中距离字线电压源较远的位线通过第二电压转换器被设置为第二电压。
- 对非易失性存储器设备进行编程的方法-200910007649.5
- 王钟铉 - 海力士半导体有限公司
- 2009-02-16 - 2010-01-13 - G11C16/12
- 一种对非易失性存储器设备进行编程的方法。根据一种编程方法，通过施加具有比编程起始脉冲的脉冲宽度更宽的脉冲宽度的虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加该编程起始脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。根据另一编程方法，通过施加具有第二脉冲宽度并且已经增加了第二阶跃电压的阶跃形虚编程脉冲来执行编程操作。通过施加具有第一阶跃电压和第一脉冲宽度的编程脉冲来执行编程操作。然后，作为编程操作的结果，验证是否已经完成编程。
- 对非易失性存储器件进行编程的方法-200910007657.X
- 王钟铉 - 海力士半导体有限公司
- 2009-02-16 - 2010-01-13 - G11C16/12
- 根据一种对非易失性存储器件进行编程的方法的一方面，输入第一编程操作命令，并根据编程起始电压存储部件中存储的编程起始电压来执行编程操作。这里，在当执行编程操作时被编程为高于验证电压的存储单元第一次出现的时间点所施加的编程电压被更新为编程起始电压。
- 非易失性存储器的最高多级状态的较快编程-200780040266.7
- 格里特·简·赫民克;李希强 - 桑迪士克股份有限公司
- 2007-10-15 - 2009-12-02 - G11C16/12
- 在使用标准技术(不是粗略/精细编程)编程到最高状态的同时使用一种粗略/精细编程技术编程到较低状态。然而，当完成所述较低状态的编程时，仍需要若干编程脉冲来编程所述最高状态。为改善编程速度，可从最低状态已被编程的时刻起使用较大的步长及较长的编程脉冲。同时，可将用于最高状态的编程技术改变为粗略/精细编程技术。
- 在非易失性存储器中使用多个升压模式减少程序干扰-200780041022.0
- 杰弗里·W·卢策;东英达 - 桑迪士克股份有限公司
- 2007-11-01 - 2009-11-25 - G11C16/12
- 本发明提供一种减少程序干扰的操作非易失性存储系统的方法。在编程非易失性存储装置的同时实施多个升压模式。举例来说，可使用自升压、局部自升压、擦除区域自升压及修正擦除区域自升压。使用一个或一个以上切换标准来确定何时切换到不同升压模式。所述升压模式可用于在正编程选定的NAND串中的存储元件的同时防止未选定的NAND串中的程序干扰。通过切换升压模式，在条件改变时，可使用最佳升压模式。可基于各种标准来切换所述升压模式，例如，编程脉冲数目、编程脉冲振幅、编程遍号、选定的字线的位置、是使用粗略还是精细编程、存储元件是否达到编程条件及/或所述非易失性存储装置的编程循环的数目。
- 用于验证编程的分段位扫描-200780044147.9
- 李彦;龟井辉彦;杰弗里·W·卢策 - 桑迪士克股份有限公司
- 2007-11-15 - 2009-11-25 - G11C16/12
- 一组非易失性存储元件经受编程过程以便存储一组数据。在所述编程过程期间，执行一个或一个以上验证操作以确定所述非易失性存储元件是否已达到其存储适当数据的目标条件。基于所述非易失性存储元件的重叠群组是否具有少于阈值数目的未正确编程的非易失性存储元件来作出关于是否继续编程或编程是否成功的决定。
- 用于非易失性存储设备的编程方法-200910008372.8
- 朴起台;李永宅 - 三星电子株式会社
- 2009-02-26 - 2009-09-02 - G11C16/12
- 提供了一种用于对非易失性存储设备进行编程的方法。所述方法包括：将第一编程脉冲施加到非易失性存储设备的对应字线；将第二编程脉冲施加到所述字线，其中第二编程脉冲的电压不同于第一编程脉冲的电压；以及将电压施加到连接到字线的每条位线，所述施加到每条位线的电压根据将要编程到对应存储单元的多个比特值、并响应于第一编程脉冲或者第二编程脉冲而彼此不同。
- 非易失性存储器和用于线性估计初始编程电压的方法-200780033510.7
- 洛克·杜;查尔斯·莫阿纳·胡克;李彦 - 桑迪士克股份有限公司
- 2007-08-31 - 2009-08-19 - G11C16/12
- 在一种非易失性存储器中，通过阶梯波形的一系列电压脉冲来连续编程一字线上的选定页(在所述脉冲之间具有验证)，直到所述页被验证为具有指定模式为止。对所述页进行编程验证时的编程电压将用于估计用于所述页的开始编程电压的初始值。在第二遍中通过使用来自第一遍的估计来进一步细化所述估计。而且，当在多个区块上进行测试时，基于所述区块的相似几何位置而取样字线可产生针对较快编程页而优化的开始编程电压。
- 对非易失性存储单元编程的方法-200810148926.X
- 朴珠姬;金英文;朴允童;李承勋;赵庆来;边成宰;宋承桓 - 三星电子株式会社
- 2008-09-17 - 2009-04-15 - G11C16/12
- 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
- 专利分类
