[发明专利]光纤用四氯化硅制备方法无效
申请号: | 200910243899.9 | 申请日: | 2009-12-24 |
公开(公告)号: | CN102107875A | 公开(公告)日: | 2011-06-29 |
发明(设计)人: | 苏小平;王铁艳;袁琴;毛威;刘福财;莫杰;武鑫萍 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/08 | 分类号: | C01B33/08 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 100088*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种光纤用四氯化硅制备方法。它以多晶硅生产过程中产生的高沸点四氯化硅为原料,以不活泼或惰性气体作为保护气氛,在光照的情况下,通入氯气,使三氯氢硅在精馏塔内进行光化反应,同时控制塔釜温度和塔顶温度,选择合适的回流比取料,得到中间产品。将中间产品进一步精馏提纯,得到高纯四氯化硅,其含氢杂质的红外透过率满足光纤用四氯化硅对杂质透过率的要求,金属离子的含量满足光纤用四氯化硅的金属含量标准。本发明优点是:对于去除与和四氯化硅沸点较为接近三氯氢硅极为有效,降低四氯化硅中含氢杂质和金属杂质含量,使得经过本工艺提纯制备的四氯化硅,质量完全满足光纤产品的需要,且反应进行的条件、完全程度较易控制,不会引入其它杂质,可以较为有效和经济的方式以工业规模进行。 | ||
搜索关键词: | 光纤 氯化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种光纤用四氯化硅制备方法,包括以下步骤:1)、以多晶硅生产过程中产生的高沸点四氯化硅为原料,向系统通入不活泼或惰性气体作为保护气氛,2)、在光照的情况下,通入与原料量相应比例或过量的氯气,使三氯氢硅在精馏塔内进行光化反应,控制塔顶温度在55~70℃之间,塔釜温度在55~70℃之间,进行全回流。3)、设定合适的回流比,开始取料。根据原料用量按相应比例截取出高、低沸物和中间馏分;4)、将中间产品压入精馏塔,向系统通入不活泼或惰性气体,控制塔釜及塔柱温度在55~65℃之间,经过1~10小时全回流后,设定合适的回流比,开始取料,并根据原料用量按相应比例确定出高、低沸物,截取中间馏分作为最终产品。
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