[发明专利]一种高纯度四氯化硅提纯方法无效
| 申请号： | 201410011907.8 | 申请日： | 2014-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN103738966A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 殷万朋;许超;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 北京国辰华星科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/08 | 分类号： | C01B33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100070 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种光纤、光伏、半导体及其他科研领域用的高纯度四氯化硅的提纯技术，具体步骤如下：步骤1、以工业级四氯化硅为原料进料，经第一个精馏塔加压精馏，塔顶采出的低沸物进入低沸物储罐；步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物经第二个精馏塔加压精馏，塔釜采出的高沸物，进入高沸物储罐；步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物经第三个精馏塔加压精馏，塔釜采出物，回到第二个精馏塔，循环提纯；步骤4、将步骤3得到的塔顶采出物经第四个精馏塔加压精馏，塔顶采出物进入高沸物储罐；步骤5、将步骤4得到的塔釜采出物经第五个精馏塔加压精馏，塔釜采出物进入高沸物储罐，塔顶采出物即为质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 氯化 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度四氯化硅提纯方法，用以制取质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅,其特征在于：为提高精馏塔工作效率，以及考虑到安全生产的问题，精馏塔选用板式塔和填料塔相结合的方法，以及采取加低压精馏等措施。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京国辰华星科技有限责任公司，未经北京国辰华星科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410011907.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 金属硅化物的表面改性方法、利用表面改性的金属硅化物的三氯硅烷的制备方法及装置-201580005699.3
- 崔源春;朴容起;李右炯;徐辉旼;姜拏永;韩柱熙;李东昊;安贵龙;金吉浩 - 韩国化学研究院;韩华石油化学株式会社
- 2015-01-19 - 2018-01-12 - C01B33/08
- 根据本发明的实施例的三氯硅烷的制备方法包括向反应部供给表面改性的金属硅化物和冶金级硅的步骤；向所述反应部供给四氯硅烷和氢的步骤；以及，将在所述反应部内，在所述金属硅化物的存在下，由冶金级硅、四氯化硅烷和氢之间的反应生成的生成物，供给到分离部，分离三氯硅烷成分的步骤。利用根据本发明实施例的三氯硅烷的制备方法进行四氯硅烷氢氯化反应时，能够提高三氯硅烷的收率。
- 减少氢氯硅烷生产中的腐蚀和结垢-201480000480.X
- 施泰因·朱尔斯鲁德;安雅·O·肖斯塔 - 陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司
- 2014-04-02 - 2017-06-06 - C01B33/08
- 本发明公开减少氢氯硅烷生产设备中硅化铁和/或磷化铁结垢和/或腐蚀的方法。向四氯化硅工艺流中添加足量的氢以抑制氯化铁(II)形成和减少硅化铁和/或磷化铁结垢、过热器腐蚀或其组合。还可以向所述四氯化硅工艺流中添加三氯硅烷。
- 利用连续管状反应器制备氯硅烷气体的方法-201580024938.X
- 金庾锡;金正奎;柳振炯;李正雨;张银洙 - 株式会社LG化学
- 2015-05-13 - 2017-03-01 - C01B33/08
- 本发明涉及一种以有效的方式由四氯硅烷制备三氯硅烷的设备。该设备包括入口，分散在液体四氯硅烷中的包含金属硅粉末的反应原料通过该入口进入；孔，气体反应原料通过该孔供给；出口，包含三氯硅烷的反应产物通过该出口排出；管状反应器，在该管状反应器中，通过所述入口进入的反应原料在流动的过程中彼此反应；以及流体流动阻碍装置，用于在流动的过程中引起流体碰撞。
- 一种制备三氯硅烷的方法-201480004450.6
- 金吉浩;安贵龙;李元翼;金俊焕;赵景薰 - 韩化石油化学株式会社
- 2014-02-26 - 2015-11-11 - C01B33/08
- 本发明涉及一种制备三氯硅烷的方法。根据本发明的制备三氯硅烷的方法，使用形成了铜的硅化物的硅可以改进的产率得到三氯硅烷。
- 一种高纯度四氯化硅提纯方法-201410011907.8
- 殷万朋;许超;其他发明人请求不公开姓名 - 北京国辰华星科技有限责任公司
- 2014-01-12 - 2014-04-23 - C01B33/08
- 本发明涉及一种光纤、光伏、半导体及其他科研领域用的高纯度四氯化硅的提纯技术，具体步骤如下：步骤1、以工业级四氯化硅为原料进料，经第一个精馏塔加压精馏，塔顶采出的低沸物进入低沸物储罐；步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物经第二个精馏塔加压精馏，塔釜采出的高沸物，进入高沸物储罐；步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物经第三个精馏塔加压精馏，塔釜采出物，回到第二个精馏塔，循环提纯；步骤4、将步骤3得到的塔顶采出物经第四个精馏塔加压精馏，塔顶采出物进入高沸物储罐；步骤5、将步骤4得到的塔釜采出物经第五个精馏塔加压精馏，塔釜采出物进入高沸物储罐，塔顶采出物即为质量浓度大于99.9999%的高纯度四氯化硅产品。
- 中等链长的聚硅烷及其制备方法-201180031813.1
- 诺伯特·奥尼尔;克里斯蒂安·鲍赫;鲁门·德尔特舍维;斯文·霍尔;加瓦德·莫赫森尼 - 斯帕恩特私人有限公司
- 2011-07-04 - 2013-05-01 - C01B33/08
- 本发明涉及中等链长的聚硅烷，其为纯化合物或化合物的混合物，在每种情况下所述化合物具有至少一个直接的Si-Si键，所述聚硅烷的取代基仅由卤素和/或氢构成，其中等链长度n大于3并且小于50，优选大于3并且小于9，特别优选大于3并且小于7，并且其组成中的取代基∶硅的原子比例为至少1∶1。本发明还涉及其制备方法。
- 玻璃加工方法-201110294230.X
- 汤海林;彭信翰;杨伟 - 深圳市木森科技有限公司
- 2011-09-28 - 2013-04-03 - C01B33/08
- 一种玻璃加工方法，包括如下步骤：提供一激光束；所述激光束在玻璃的加工表面沿着切割线形成一个切割槽，所述切割线为螺旋线；随着所述切割槽的深度加大，所述激光束的焦点相对于所述切割槽的底部下降。上述玻璃加工方法控制激光束沿着切割线形成一个切割槽，切割线为螺旋线，随着切割面的下降，焦点会随着一同下降，即焦点始终位于切割面上，从而加深切割槽的深度。因此，上述玻璃加工方法可加工厚度较大的玻璃。并且，整个螺旋线作为一条曲线，切割过程中激光从起始点开激光直到终止点结束，无需频繁开关激光，即提高的切割效率，又可避免的起点终点位置因为延迟参数问题造成起点爆点问题，提高了切割的质量。
- 熔盐中的络合前驱体盐的高温分解-201180031866.3
- 安杰尔·桑贾乔;罗凯洪;马尔科·霍恩博斯特尔;谢晓兵;洛伦茨·莫罗;霍尔迪·佩雷斯·马里亚诺;戈帕拉·N·克里希南 - SRI国际公司
- 2011-07-08 - 2013-03-13 - C01B33/08
- 在一个实施方式中，本公开案通常涉及一种用于热分解络合前驱体盐的方法。在一个实施方式中，所述方法包括以下步骤：加热反应器中的盐直到形成熔盐；将络合前驱体盐添加到反应器中的熔盐；及从反应器中移除由络合前驱体盐的热分解形成的挥发性前驱体卤化物。
- 光纤用四氯化硅制备方法-200910243899.9
- 苏小平;王铁艳;袁琴;毛威;刘福财;莫杰;武鑫萍 - 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司
- 2009-12-24 - 2011-06-29 - C01B33/08
- 本发明提供一种光纤用四氯化硅制备方法。它以多晶硅生产过程中产生的高沸点四氯化硅为原料，以不活泼或惰性气体作为保护气氛，在光照的情况下，通入氯气，使三氯氢硅在精馏塔内进行光化反应，同时控制塔釜温度和塔顶温度，选择合适的回流比取料，得到中间产品。将中间产品进一步精馏提纯，得到高纯四氯化硅，其含氢杂质的红外透过率满足光纤用四氯化硅对杂质透过率的要求，金属离子的含量满足光纤用四氯化硅的金属含量标准。本发明优点是：对于去除与和四氯化硅沸点较为接近三氯氢硅极为有效，降低四氯化硅中含氢杂质和金属杂质含量，使得经过本工艺提纯制备的四氯化硅，质量完全满足光纤产品的需要，且反应进行的条件、完全程度较易控制，不会引入其它杂质，可以较为有效和经济的方式以工业规模进行。
- 用于纯化四氟化硅的方法-200880108027.5
- 维塔尔·雷万卡尔;贾米勒·伊布拉希姆 - MEMC电子材料有限公司
- 2008-09-11 - 2010-12-15 - C01B33/08
- 本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法，所述纯化工艺包括：将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳，以及通过低温蒸馏除去惰性化合物；本发明还提供适合从四氟化硅源气体中除去一氧化碳的催化剂和用于制备这样的催化剂的方法。
- 专利分类
