[发明专利]封装的存储芯片、嵌入式设备有效
申请号: | 201110154392.3 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN102820302A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 龙钢 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;朱世定 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种封装的存储芯片和应用该存储芯片的嵌入式设备。上述的存储芯片包括:封装的SPI NOR FLASH和并行PSRAM;SPI NOR FLASH包括时钟输入管脚CLK1和四个输入输出管脚;并行PSRAM包括时钟输入管脚CLK2、四个以上的地址输入和数据输入输出管脚;其中,SPI NOR FLASH的四个输入输出管脚与并行PSRAM的任意四个地址输入和数据输入输出管脚分别相连,CLK1与CLK2相连。利用本发明的技术方案,能减小封装成的存储芯片的面积。 | ||
搜索关键词: | 封装 存储 芯片 嵌入式 设备 | ||
【主权项】:
一种封装的存储芯片,其特征在于,该芯片包括:封装的串行非易失闪存SPI NOR FLASH和并行假静态随机存储器PSRAM;SPI NOR FLASH包括时钟输入管脚CLK1和四个输入输出管脚;并行PSRAM包括时钟输入管脚CLK2、四个以上的地址输入和数据输入输出管脚;其中,SPI NOR FLASH的四个输入输出管脚与并行PSRAM的任意四个地址输入和数据输入输出管脚分别相连,CLK1与CLK2相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的