[发明专利]一次编程存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 201110355203.9 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN103106926A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;吕杭炳;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C17/10 | 分类号： | G11C17/10;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰，便于存储器件和外围电路的集成，简化了器件的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 编程 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一次编程存储器，其特征在于，包括：下电极；上电极；以及位于所述上电极与所述下电极之间的阻变功能薄膜；所述上电极与所述阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，所述阻变功能薄膜与所述下电极之间形成欧姆接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110355203.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
