[发明专利]基于SOI的超高深宽比纳米结构阵列的制作方法

摘要

本发明为基于SOI的超高深宽比纳米结构阵列的制作方法，属于微机电系统(MEMS)工艺领域，尤其涉及一种MEMS工艺中的超高深宽比纳米阵列的制备工艺。该方法通过多晶硅和氮化硅交替沉积和刻蚀的方法实现不同阵列数目的超高深宽比纳米结构阵列的制作，同时高深宽比纳米结构阵列的间距可以通过改变二氧化硅层的厚度实现，本发明工艺流程简单易实现，降低制作成本，解决了MEMS工艺中超高深宽比纳米结构阵列的制作难题。通过该方法，在结构材料强度一定的情况下，使纳米结构阵列深宽比达到最大。

主权项

基于SOI的高深宽比纳米结构阵列的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1)清洗SOI(Silicon‑On‑Insulator)硅片1，去除硅片表面的灰尘及有机物。将SOI硅片器件层的单晶硅刻蚀掉，直至SOI硅片1的二氧化硅层2暴露出来；2)在二氧化硅层2的表面沉积多晶硅3；3)在多晶硅3的表面涂光刻胶4，光刻以及显影，形成一定线宽和间距的纳米结构阵列；4)以光刻胶4为掩膜刻蚀多晶硅3，直至二氧化硅层2，并去除光刻胶4；5)在多晶硅3表面沉积二氧化硅5；6)在二氧化硅5表面沉积多晶硅6；7)在多晶硅6表面涂光刻胶7，光刻以及显影；8)以光刻胶7为掩膜，刻蚀多晶硅6，直至氧化层5。去除光刻胶7；9)硅基底背面刻蚀，直至二氧化硅层2；10)去除二氧化硅层2和5，释放纳米结构阵列。