[发明专利]一种高深宽比柔性纳米柱阵列的制造方法有效
申请号: | 201510124275.0 | 申请日: | 2015-03-20 |
公开(公告)号: | CN105047525B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 马志波;苑伟政;姜澄宇;乔大勇;孟海莎 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B82Y40/00;G03F7/20 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心61204 | 代理人: | 吕湘连 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明是属于集成电路和微纳电子机械系统制造领域,特别是一种高深宽比纳米结构阵列的制造方法。该方法需要制备高深宽比柔性纳米纤毛结构的软模板,软膜版以PDMS为浇注材料;复制高深宽比柔性纳米纤毛阵列的模板。以压印过的PDMS为模板,采用紫外光固化胶OrmoStamp材料进行压印,这样就得到了和硅模具上一样的柔性结构。本发明的有益效果是针对高深宽比柔性纳米结构的制造难点,提出了基于PDMS和紫外光固化胶OrmoStamp两种柔性材料,通过两次压印的方法,实现高深宽比纳米纤毛阵列的柔性制造,为高深宽比柔性纳米结构的制造提供重要的技术支持。 | ||
搜索关键词: | 一种 高深 柔性 纳米 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高深宽比柔性结构制造方法,包括如下步骤:步骤1:首先需要制备高深宽比柔性纳米纤毛结构的软模板;软膜版以PDMS为浇注材料,基于PDMS纳米压印的主要工艺步骤为:(a)将加工好的硅基纳米纤毛阵列采用C4F8气体钝化工艺进行表面疏水性处理;(b)将PDMS溶剂和固化剂混合均匀,放入真空烘箱内在常温下进行抽气处理,彻底去除混合物中的气泡;最后,将PDMS预聚物倒入硅基纳米纤毛阵列表面静置;(c)待PDMS预聚物彻底进入纤毛阵列后,用载玻片水平压在PDMS上方,放在热板上处理;(d)待PDMS彻底固化后,将其从硅基纳米纤毛阵列模具上取下,这样就在PDMS模具上形成了高深宽纳米圆孔阵列;步骤2:复制高深宽比柔性纳米纤毛阵列的模板;以压印过的PDMS为模板,采用紫外光固化胶OrmoStamp材料进行压印,这样就得到了和硅模具上一样的柔性结构,主要工艺步骤包括:(a)将PDMS模具采用利用C4F8气体钝化工艺对表面进行疏水性处理;(b)将OrmoStamp液体滴到表面经疏水处理过的PDMS模具上;(c)待OrmoStamp完全填充PDMS上的纳米孔阵列后,取一片载玻片,采用丙酮清洗后,在热板上烘烤并冷却到室温,以增加OrmoStamp液体与载玻片之间的粘附性;将载玻片水平放置在OrmoStamp液体上,在紫外光下曝光,这样使OrmoStamp液体在紫外光作用下彻底固化;(d)将其在热板上烘烤,将PDMS模具去除,完成基于OrmoStamp的高深宽比柔性纳米纤毛的制造;这样就得到了和硅模具相同的柔性结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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