[发明专利]LED封装工艺有效
| 申请号： | 201711211375.2 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108011025B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 佛山市潽森电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/58 |
| 代理公司： | 11588 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹春雷 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街夏南二*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LED封装工艺，包括如下步骤：(a)制备斜圆槽散热基板；(b)将芯片固接到散热基板上形成底层结构；(c)在所述底层结构上制备透镜结构。在散热基板上制作中间斜圆槽，在强度不变的情况下降低了散热基板的制作成本，且中间斜圆槽可以增加空气流通通道，利用烟囱效应提升空气的热对流速率，增加了散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | led 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种LED封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：/n(a)制备斜圆槽散热基板；/n(b)将芯片固接到散热基板上形成底层结构；/n(c)在所述底层结构上多次制备第一透镜单元形成中间透镜层；其中，所述制备第一透镜单元包括：采用第一透镜模具制备第一下硅胶层和第一透镜层，其中，所述第一透镜层包含多个透镜球，所述透镜球之间的间距A大于5μm；在所述第一透镜层上制备第一上硅胶层，其中，所述第一透镜层的折射率大于所述第一上硅胶层和所述第一下硅胶层的折射率；/n(d)在所述中间透镜层上制备第二透镜单元，所述制备第二透镜单元包括：在所述中间透镜层上制备第二下硅胶层和第二透镜层；在所述第二透镜层上制备第二上硅胶层，采用第二透镜模具在所述第二上硅胶层上表面形成弧形；其中，所述第二透镜层的折射率大于所述第二上硅胶层和所述第二下硅胶层的折射率；/n所述第一下硅胶层、所述第一上硅胶层、所述第二下硅胶层、所述第二上硅胶层的折射率依次增大；所述第二上硅胶层的折射率需要小于1.5；/n所述中间透镜层和所述第二透镜单元形成透镜结构。/n
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