[发明专利]产生含金属膜的方法有效

申请号：	201880079938.3	申请日：	2018-09-17
公开（公告）号：	CN111727272B	公开（公告）日：	2023-04-28
发明（设计）人：	D·D·施魏因富特;L·迈尔;S·V·克伦克;S·魏戈尼;C·H·温特;K·布莱克尼;N·韦拉滕加西里卡图格;T·M·A·N·卡鲁纳拉特	申请（专利权）人：	巴斯夫欧洲公司;韦恩州立大学
主分类号：	C23C16/20	分类号：	C23C16/20;C23C16/06;C23C16/08;C23C16/455
代理公司：	北京市中咨律师事务所 11247	代理人：	肖威;刘金辉
地址：	德国莱茵河***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为0、1或2，m为0、1或2，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。
搜索关键词：	产生金属膜方法
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产生含金属膜的方法-201880079938.3
发明人： D·D·施魏因富特;L·迈尔;S·V·克伦克;S·魏戈尼;C·H·温特;K·布莱克尼;N·韦拉滕加西里卡图格;T·M·A·N·卡鲁纳拉特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;韦恩州立大学
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/20
摘要：本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)、(II)、(III)或(IV)化合物接触，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为0、1或2，m为0、1或2，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基。

沉积设备、沉积系统及半导体装置的形成方法-202011111250.4
发明人：柯忠廷;陈玟儒;谢宛蓁;吴明发;黄泰钧;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： C23C16/20
摘要：在一个实施例中，一种半导体装置的形成方法包括在一排气管线的内部表面上形成疏水涂层、将所述排气管线连接至半导体制程腔体、将第一前驱物导入至半导体制程腔体中、将第二前驱物导入至半导体制程腔体中，其中第一前驱物与第二前驱物反应以产生氧化材料层、以及自半导体制程腔体以及经由所述排气管线泵抽第一前驱物及第二前驱物。

产生含金属膜的方法-201880079468.0
发明人： L·迈尔;D·D·施魏因富特;D·瓦尔德曼;C·H·温特;K·布莱克尼;S·V·克伦克;S·魏戈尼;N·韦拉滕加西里卡图格;T·M·A·N·卡鲁纳拉特 -专利权人：巴斯夫欧洲公司;韦恩州立大学
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/20
摘要：本发明属于制备无机含金属膜的方法的领域。该制备无机含金属膜的方法包括使固体基材与呈气态的通式(I)或(II)化合物接触，式(I)，式(II)，其中A为NR2或OR，其中R为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，E为NR或O，n为1、2或3，且R'为氢、烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基，其中如果n为2且E为NR或A为OR，则NR或OR中的至少一个R在1位不带有氢原子。

制备涂覆基材的方法、涂覆的基材及其用途-201080032572.8
发明人： A·S·博罗维克;D·L·迪文波特;J·黑勒;B·库兹马诺维茨;A·R·卢特默;S·奥伯豪泽尔 -专利权人：阿克佐诺贝尔化学国际公司
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C16/20
摘要：本发明涉及一种制备具有多区域金属涂层的基材的方法，其包括如下步骤：使任选包含具有不同于金属材料组成的金属外层的所述金属材料加热至温度T1，沉积铝、镁和/或锌涂层，和冷却至温度T2并继续沉积。此外，还涉及可用所述方法获得的具有多区域金属涂层的基材。

处理气流的装置-200780008754.X
发明人： C·J·肖;C·M·拜利 -专利权人：爱德华兹有限公司
申请日： 2007-02-22 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C23C16/20
摘要：一种在从工艺反应室中泵抽出含有有机铝前体的气流时，防止铝在真空泵内沉积的方法，所述方法包括向真空泵上游的气流供应氯，使其与前体反应形成在气相状态下可以无害的通过泵的氯化铝。

二烷基氨基二氢化铝化合物的薄膜汽相淀积法-200610064016.4
发明人： H·K·申;B·S·金;J·S·金;J·Y·金;Y·S·金;B·Y·赵 -专利权人：罗门哈斯公司
申请日： 2006-11-16 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C23C16/20
摘要：提供一种铝膜汽相淀积的方法。该方法利用分子式为[H₂AlNR¹R²]_n的二烷基氨基二氢化铝化合物，其中R¹和R²是相同或不同的具有1到3个碳原子的烷基，n是2或3的整数。铝膜可以是厚的或薄的，可以是铝膜或含有铝的合金膜。CVD和ALD方法都可利用。

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