[发明专利]一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片有效

专利信息
申请号: 202011053233.X 申请日: 2020-09-29
公开(公告)号: CN112158796B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 吴伟昌;吕丽英;黎家健 申请(专利权)人: 瑞声声学科技(深圳)有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/02
代理公司: 深圳三用知识产权代理事务所(普通合伙) 44859 代理人: 金晶
地址: 518057 广东省深圳市南山区高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时,容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层,然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀,XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时,不规则的刻蚀第一硅平面层,因此,经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大,因此,当该硅片在与其他膜层相近时,降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力,提高了MEMS器件的灵敏度,降低了MEMS器件无法使用的概率。
搜索关键词: 一种 具有 粗糙 表面 硅片 制备 方法 以及
【主权项】:
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