[发明专利]利用薄型隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法有效
| 申请号： | 202080095449.4 | 申请日： | 2020-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115039224B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 金珍浩;E·奎瓦斯;P·加扎维;B·贝尔泰洛;G·费斯特斯;C·德科贝尔特;Y·卡其夫;B·维拉德;N·多 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/44 | 分类号： | H10B41/44;H10B41/30;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成存储器器件的方法包括在半导体衬底的存储器单元区上形成浮动栅极，该浮动栅极具有终止于边缘中的上表面。形成氧化物层，该氧化物层具有分别沿着衬底表面的逻辑区域和存储器单元区域延伸的第一部分和第二部分，以及沿着该浮动栅极边缘延伸的第三部分。形成非共形层，该非共形层具有分别覆盖该氧化物层第一部分、第二部分和第三部分的第一部分、第二部分和第三部分。蚀刻去除该非共形层第三部分，并且减薄但不完全移除非共形层第一部分和第二部分。蚀刻减小氧化物层第三部分的厚度。在移除非共形层第一部分和第二部分之后，在氧化物层第二部分上形成控制栅极，并且在氧化物层第一部分上形成逻辑栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 隧道 氧化物 形成 分裂 栅极 存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
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