[发明专利]在抛光相邻导电层的堆栈期间的轮廓控制在审
| 申请号： | 202180015802.8 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115175785A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 许昆;H·Q·李;B·切里安;D·M·盖奇 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/04;B24B49/04;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在基板上抛光相邻导电层的堆栈期间，一种原位涡流监测系统测量特征值序列。重复地从特征值序列重复地计算抛光速率，对于初始时段，使用第一控制算法基于当前抛光速率重复地计算对一或多个抛光参数的一或多次调整，检测抛光速率的变化，此变化满足指示底层导电层的暴露的至少一个第一预定标准，并且对于检测到此抛光速率的变化之后的后续时段，使用不同的第二控制算法基于此抛光速率计算对一或多个抛光参数的一或多次调整。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 相邻 导电 堆栈 期间 轮廓 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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