[发明专利]一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法在审
| 申请号： | 202211670509.8 | 申请日： | 2022-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN116001120A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 褚天宇;蔡明;朱秦发;王学峰;李亚光;皇志威 | 申请（专利权）人： | 山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 253012 山东省德州市经济技术开发区袁桥*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体单晶硅片金刚线切割的工艺方法。该方法中使用的原辅材料包括切割辊涂覆材料、过线轮材料、水性切削液、金刚线，其中，所述切割辊涂覆材料为高分子聚乙烯材料；过线轮线圈材质选用高分子聚乙烯材料，支撑框架采用铝合金材质，使用高温压制法将支撑框架及高分子聚乙烯线圈压制为一整体；水性切削液与水配比采用1：200±20比例；金刚线选用母线线径为90‑110μm，粒径为5‑12μm的电镀金刚石线；采用分段式往复切割法，根据单晶长度和切片厚度分步骤和切割阶段针对性设定往复距离、切削液温度、切削液流量、切割耗线等参数，根据切片表面形貌个性化调整不同切割阶段的工艺。本发明的工艺方法能够在提高切片效率的基础上，提高产品收率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 单晶硅 金刚 切割 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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