[实用新型]坩埚下降法锗单晶生长装置有效
| 申请号： | 202221582683.2 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN217709751U | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 刘得伟;李宝学;黄四江;杨涛;尹归 | 申请（专利权）人： | 昆明云锗高新技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/02 | 分类号： | C30B11/02;C30B29/08 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 施建辉 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市五华区高*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 坩埚下降法锗单晶生长装置，涉及锗单晶生长领域。本实用新型包括坩埚、保温桶、炉室、加热器、升降组件和支撑底座，炉室放置在支撑底座上，保温桶设置在炉室内，坩埚设置在保温桶内；升降组件放置在支撑底座中点处，升降组件穿过保温桶底部，坩埚放置在升降组件上；加热器为三组，从上至下等距设置在保温桶与坩埚之间的夹层中，分为高温区、梯度区和低温区。本实用新型能够较好的解决大尺寸锗单晶生长时的变晶问题，方便的调整保温毡形状和尺寸，能够控制长晶温度梯度在合理的区间，获得的长晶固液界面更平坦，生长的大尺寸锗单晶更好的保持单一晶型。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 下降 法锗单晶 生长 装置 | ||
【主权项】：
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- 本发明提供用于温度梯度法生长稀土倍半氧化物晶体的热场装置，包括基座、保温桶、石墨硬毡保温层、第一支架、第二支架、坩埚、上保温层、感应加热线圈；保温桶固定于基座上；石墨硬毡保温层设置于保温桶内，且石墨硬毡保温层中部设有坩埚放置孔；第一支架穿过基座和石墨硬毡保温层，且第一支架顶部位于坩埚放置孔内；第二支架设于第一支架底部；坩埚置于坩埚放置孔内，且底部与第一支架顶部接触；上保温层设于保温桶的顶部；感应加热线圈环设于保温桶外侧壁上。该热场装置使用中频感应的加热方式，设计了合适的保温层为基础的热场环境，使得温度梯度呈现一个上热下冷的渐变过程，保证了晶体的定向生长。
- 一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法-201810598224.5
- 张泽兴;刘世龙;黄林;雷琦;刘超;王超;徐云飞;姚晨;赖昌权 - 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
- 2018-06-12 - 2018-10-02 - C30B11/02
- 一种生产铸造单晶时原生多晶硅料及回收料的装料方法，包括以下步骤，从坩埚底部开始依次铺设一层单晶籽晶、碎硅片、边皮、原生致密棒料或大块菜花料、小块原生硅料、回收料、小块回收料。本发明具有以下几个特点：碎硅片避免了籽晶层上方应力集中，也减少了熔化阶段硅液对籽晶层的热冲击，减少了因应力集中和热应力而产生的位错；原生硅料铺在坩埚下部、回收料铺在坩埚上部，减少引晶初期因杂质聚集而产生的位错和多晶；埚壁紧贴一层边皮，可以减少涂层的脱落，相邻边皮留有一定距离，防止高温时边皮膨胀挤压坩埚，可降低坩埚破裂风险。
- 用于CsB4O6F晶体生长的双层坩埚及CsB4O6F晶体生长方法-201810555037.9
- 王晓洋;刘丽娟;陈创天 - 中国科学院理化技术研究所
- 2018-06-01 - 2018-09-21 - C30B11/02
- 一种双层坩埚：底部设晶体淘汰结构的坩埚内层置于坩埚外层内；位于外层顶端的外层封头；封头上设与抽气系统相连的直管；直管与坩埚外层和内层相通；封头与坩埚外层顶端熔封以使坩埚外层完全包纳坩埚内层；其氟硼酸铯晶体生长步骤：将晶体生长原料装内层中；将内层置外层之中；将封头与外层熔封；通过直管抽真空，抽真空条件下将直管熔封；或抽真空度后再通过直管向坩埚外层和内层充惰性气体，在惰性氛围下将外层直管熔封，以使坩埚外层完全密闭包纳坩埚内层；熔封后的双层坩埚置入坩埚下降生长炉中，通过坩埚下降法进行氟硼酸铯晶体生长；本该双层坩埚综合了石英坩埚、惰性金属和碳基坩埚优点并克服了其缺点，从而高效地用于氟硼酸铯晶体生长。
- 利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法-201710432984.4
- 魏建德;方声浩;张志诚;叶宁;吴少凡;龙西法 - 厦门中烁光电科技有限公司
- 2017-06-09 - 2018-07-06 - C30B11/02
- 本发明提供一种利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法，根据坩埚形状，与晶体生长炉温场分布，通过设计一种呈凸面型的石英盖片，与溴化镧石英坩埚构成一种全封闭的生长环境，此种环境隔绝了溴化镧熔体与坩埚上部真空层部分，使熔体四周处于相对平衡的温场环境。另外，通过设计凸面型的石英盖片可以使固液界面呈现微凸界面的形式，有利于晶体内应力的释放。
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