[发明专利]用于形成碳氧化硅层的方法和系统及使用其形成的结构在审
| 申请号： | 202310423857.3 | 申请日： | 2023-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN116949433A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 冉凡勇;刘泽铖;久保田智广;吉田嵩志;冈部介 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/515 | 分类号： | C23C16/515;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了在衬底表面上形成碳氧化硅层的方法。示例性方法包括向反应室提供无氧反应物，并执行一个或多个沉积循环，其中每个沉积循环包括在硅前体脉冲周期内向反应室提供硅前体，并且在等离子体功率周期内提供等离子体功率，以形成碳氧化硅层。示例性硅前体包括含有硅、氧、碳和可选的氮的分子。硅前体可以进一步包括以下中的一个或多个：(i)一个或两个硅‑氧键，(ii)一个或两个硅‑碳键，或(iii)一个碳‑碳双键。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 氧化 方法 系统 使用 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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