[发明专利]用于纳米孔离子源的电离室芯片及其制造方法以及质子束写入系统在审
| 申请号： | 202310856201.0 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN116959938A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 吉荣·安东·范卡恩;许新鑫;桑塔那·拉曼·帕塔比拉曼;冯锐迪 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01J27/20 | 分类号： | H01J27/20;H01J37/317;H01J49/14;H01J37/08 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张威 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 电离室芯片、纳米孔离子源、质子束写入系统以及制造电离室芯片的方法。该方法包括以下步骤：提供第一基板，该第一基板包括在其背面形成的第一凹陷；提供附接在第一基板的背面的背衬元件，使得形成至少包括第一凹陷的腔室；在第一基板中形成与腔室流体连通的气体入口；在第一基板中形成与腔室流体连通的第一孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 离子源 电离室 芯片 及其 制造 方法 以及 质子 写入 系统 | ||
【主权项】：
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