[发明专利]一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 202310877037.1 | 申请日： | 2023-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN116759441A | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 顾挺;侯宏伟;包奚成;张宇超 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET及其制造方法，所述MOSFET的结构包括：由其表面为第一主面的第一导电类型衬底和其表面为第二主面的第一导电类型外延层构成的半导体基板；第一主面上设置有元胞沟槽，元胞沟槽中设置有第一多晶硅层和第二多晶硅层，元胞沟槽中还设置有将第一多晶硅层与第二多晶硅层隔开以及将第一多晶硅层和第二多晶硅层与元胞沟槽壁隔开的氧化层，第二多晶硅层包括：沿着元胞沟槽的中心线布置的主体部和与主体部相连的头冠部，头冠部两侧的底面上均向下设置有凸起部。本发明所述的屏蔽栅沟槽MOSFET的结构及制造方法主要应用于中低压MOSFET。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 沟槽 mosfet 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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