[发明专利]抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管有效
| 申请号： | 202310906430.9 | 申请日： | 2023-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN116632137B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 滕龙;霍丽艳;吴洪浩;刘兆 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 万建 |
| 地址： | 330000 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种抗静电能力改善层及其制备方法、外延片及发光二极管，所述抗静电能力改善层包括周期性依次层叠设置的基层、保护层、第一核心层、第二核心层以及准备层；其中，所述基层为InGaN层、保护层为GaN层、第一核心层为Ga |
||
| 搜索关键词： | 抗静电 能力 改善 及其 制备 方法 外延 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西乾照光电有限公司，未经江西乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310906430.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
