[发明专利]一种纳米碳化硅磨料的制备方法在审
| 申请号： | 202310948202.8 | 申请日： | 2023-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN116924409A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 覃文光;张文青;况亚伟;周潘潘 | 申请（专利权）人： | 苏州汉华光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;C09K3/14;C09G1/02;C01B32/05;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215556 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米碳化硅磨料的制备方法，包括以生物质碳为碳源，正硅酸乙酯为硅源，硝酸铁为催化剂，通过碳热还原制备出碳化硅纳米颗粒，对所述碳化硅纳米颗粒进行酸洗并在1000～1200℃下回火制得所述纳米碳化硅磨料，所述生物质碳是由干燥的生物质原料经过高温碳化得到。本发明制得的纳米碳化硅磨料磨削性能好，可达到较高的抛光速率，适用于半导体机械研磨抛光工艺，制备过程能耗低，成本小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 碳化硅 磨料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 一种稻壳基纳米碳化硅/碳复合吸波材料及其制备方法-202010393046.X
- 霍开富;陈振东;高标;付继江;李忠红;刘凯 - 武汉科技大学;武汉佰迈思新材料有限公司
- 2020-05-11 - 2022-05-03 - C01B32/977
- 本发明公开了一种以稻壳为原料制备纳米碳化硅/碳复合吸波材料的方法，合成步骤如下：将用蒸馏水洗净烘干后的稻壳放入坩埚中后置于管式炉或马弗炉中进行热处理，分别得到碳化稻壳与纳米二氧化硅。然后将碳化稻壳、纳米二氧化硅和金属镁粉按一定质量比例进行配比并用球磨机进行混料。将混合好的物料放入反应釜中，置于管式炉中加热进行反应。将反应后得到的产物放入盐酸溶液中搅拌，然后用过滤设备分离出盐酸溶液中的残留物并用蒸馏水清洗至中性，最后干燥得到碳含量可调的纳米碳化硅/碳复合吸波材料。本发明以农业废弃物稻壳为原料，制备过程简单、高效和无污染，易于实现工业化生产，符合可持续发展的理念。
- 一种碳化硅量子点的辐射制备方法及其产物-202010050874.3
- 齐伟;赵龙 - 华中科技大学
- 2020-01-17 - 2022-04-29 - C01B32/977
- 本发明属于纳米材料技术领域，公开了一种碳化硅量子点的辐射制备方法及其产物，其中制备方法是先将硅烷偶联剂与离子液体混合均匀得到混合液，然后配制水包离子液体型离子液体微乳液，使该微乳液的组分中包括70‑80重量份的水、20‑30重量份的表面活性剂以及不超过10重量份的离子液体；接着，利用电离辐射技术向微乳液施加10kGy‑200kGy的照射，原位制备得到碳化硅量子点；最后，破乳并经过分离、洗涤及干燥处理后即可得到碳化硅量子点。本发明通过对制备方法的整体流程工艺设计、关键水包离子液体型离子液体微乳液的组分等进行改进，制备方法工艺简单，能耗低，经济环保且可规模化生产。
- 碳化硅纳米线的合成方法-201911054722.4
- 李季;刘杰;张磊;杨春晖 - 哈尔滨工业大学
- 2019-10-31 - 2022-04-19 - C01B32/977
- 碳化硅纳米线的合成方法，它涉及一种碳化硅纳米线的合成方法。本发明是为了解决现有制备碳化硅纳米线的方法原材料浪费严重、成本高、结构不均匀、长径比低的技术问题。本方法如下：将处理后的生长基底放于坩埚内硅树脂的上方，将坩埚放于真空高温炉中在升温，保温，降温，即得。该方法在生长SiC纳米线的同时，在模具内部生成SiC纳米颗粒，这样可以极大的提高原料利用率从而降低了成本，同时合成了链珠状的SiC纳米线，特殊的链珠状结构使其在复合材料、场致发射体、光催化剂、储氢及疏水表面具有更大的应用潜力。链珠状纳米线的生成同时伴有超长超直的SiC纳米线的生成。产品结构均匀。本发明属于纳米线的制备领域。
- 一种基于聚合物高温碳化制备碳化钛(MXene)柔性电极的方法及其应用-202010815696.9
- 衣芳;马睿 - 中山大学
- 2020-08-14 - 2022-04-01 - C01B32/977
- 本发明属于纳米复合材料制备技术领域，具体涉及一种基于聚合物高温碳化制备碳化钛(MXene)柔性电极的方法及其应用，为研究一种进一步提高Ti
- 一种大宽厚比N掺杂SiC纳米带及其制备方法-201810717550.3
- 高凤梅;李笑笑;陈善亮;王霖;杨为佑 - 宁波工程学院
- 2018-07-03 - 2022-02-22 - C01B32/977
- 本发明涉及一种N掺杂SiC纳米带及其制备方法，属材料制备技术领域。该N掺杂SiC纳米带的宽度为100‑800nm，厚度为10‑80nm。其制备方法：将有机前驱体预处理后与双氰氨粉末混合并置于石墨坩埚，并将碳纤维布衬底放置在坩埚顶部；然后一起置于气氛烧结炉中，在氩气的保护下先加热至1000‑1040℃保温8‑12分钟，然后升温至1390‑1420℃保温5‑10分钟，接着升温至1490‑1520℃，接着先冷却至1080‑1120℃，再随炉冷却至室温，得N掺杂SiC纳米带。本发明采用原料双氰氨，并采用三阶段加热，实现对SiC纳米带的N掺杂，制得了大宽厚比、低缺陷密度的高质量N掺杂SiC纳米带。
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