[发明专利]柔性衬底上制作导通孔以及导通孔的填充方法在审
申请号: | 202180003616.2 | 申请日: | 2021-11-26 |
公开(公告)号: | CN116569314A | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 张硕;梁魁;孙拓;周超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 张敬强 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 衬底 制作 导通孔 以及 填充 方法 | ||
本公开涉及一种柔性衬底上制作导通孔的方法,包括:提供一衬底基板,并在所述衬底基板上形成辅助剥离层;在所述辅助剥离层上形成种子金属层,并对所述种子金属层进行图案化处理形成第一导电图案;在所述种子金属层上形成第一柔性衬底;在所述第一柔性衬底上形成第一掩膜层;通过干法刻蚀工艺在所述柔性衬底上形成第一导通孔,所述第一导通孔贯穿所述第一柔性衬底设置,以露出所述第一导电图案的连接区。本公开还涉及一种柔性衬底上的导通孔的填充方法。
PCT国内申请,说明书已公开。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造