[发明专利]子能带间超晶格光发射器内有空间对称波函数的平微能带有效
| 申请号： | 01117576.1 | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1352479A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | 费德里科·卡帕索;阿尔弗雷德·Y·乔;孙－尼·G·楚;克莱尔·F·格玛楚;阿伯特·L·哈沁森;阿瑟·M·瑟贞特;德伯拉·L·斯夫科;阿利桑德罗·特莱迪库奇;迈克尔·C·万克 | 申请（专利权）人： | 朗迅科技公司 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蒋世迅 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | ISB光发射器的RT区包括预偏移SL和多个分裂的量子阱(SPQW)。SPQW是被足够薄的第一势垒层分裂成多个子阱的量子阱,该足够薄的第一势垒层把上能态与下能态分裂,分裂宽度超过它们的自然增宽,并对每个RT区内的不同微能带产生影响。与之相反,相邻的SPQW则通过第二势垒层相互耦合。要选取后一种层的厚度,使横越每个RT区上建立微能带。在一个实施例中,该发射器包括相邻RT区之间的I/R区,而在另一个实施例中,则省去I/R区。 | ||
| 搜索关键词： | 能带 晶格 发射器 空间 对称 函数 | ||
【主权项】：
1.一种子能带间(ISB)超晶格(SL)光发射器，包括：芯区，其上包含多个重复单元，每个重复单元包含一单极辐射跃迁(RT)SL区，每个所述RTSL区包括与多个第一势垒区交错的多个量子阱(QW)区，所述QW区具有上微能带和下微能带表征的能态，和电极，把电场施加于所述发射器，有效地使所述RT区以所述微能带内上能态与下能态决定的能量发光，在所述QW区的至少第一子集中，内电子势能是被预偏移的，使不管所述SL内的所述外加电场是否存在，所述上微能带与下微能带两者的基本上平的能带情况都存在，其特征在于每个所述QW区包含至少一个第二势垒区，该势垒区把所述QW分裂为多个耦合的子阱，所述第二势垒区的厚度，要能使至少所述上能态和下能态的波函数，相对于每RT区的中间平面基本上是空间对称的，并且所述微能带能在所述QW内独立地适当定位。
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- 本申请公开了一种单光子源、单光子的制备方法及量子信息系统。所述单光子源包括：量子点微腔，包括反应层、第一DBR反射层和第二DBR反射层，反应层设置于第一DBR反射层和第二DBR反射层之间；偏振调制器，设置于激发光的入射光路，用于调节激发光的偏振，以得到偏振激发光；光路转换器，设置于偏振激发光的入射光路，用于将偏振激发光的入射光路转换为垂直量子点微腔的入射光路；偏振单光子从量子点微腔出射，并基于预设路径经过光路转换器后由预设的单光子出射端出射，其中偏振单光子是由偏振激发光激发量子点微腔内的量子点所产生的激子在退激发后所产生的。
- 一种纳米线-等离激元耦合的单光子发射器及其制备方法-202111137328.4
- 李佩航;余鹏;王志明 - 电子科技大学
- 2021-09-27 - 2023-09-12 - H01S5/34
- 本发明公开了一种纳米线‑等离激元耦合的单光子发射器，包括衬底、设置于衬底上的纳米线本体、环状包裹纳米线本体的介质镀膜、环状包裹介质镀膜的金属镀膜；一量子点设置于纳米线本体上。本发明提的纳米线‑等离激元耦合的单光子发射器结构，在衬底中制备纳米线并在中间掺杂制成量子点，并对所制备的纳米线量子点进行介质镀膜和金属镀膜。金属等离激元与量子点进行耦合，进而提高发射器的单光子发射速率，有效降低纳米线支持单模传输的最小半径。由于采用镀膜方法，所述结构可以自组装，进而实现量子点的位置可控。本发明可以获得稳定的高发射速率的单光子源。
- 产生径向偏振柱矢量光束的太赫兹量子级联激光器-202320533220.5
- 徐刚毅;刘国文;王凯;甘良华;白弘宙;谭诚;臧善志;严川峰;林春;何力;丁瑞军 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2023-03-20 - 2023-09-12 - H01S5/34
- 本专利涉及一种产生径向偏振柱矢量光束的太赫兹量子级联激光器，结构从下至上依次为，衬底层，下电极层和有源区层。有源区层上有位于中心的圆形第一上电极层，围绕着第一上电极层的圆环状第二上电极层和围绕着第二上电极层的圆环状吸收边界层。所述有源区层与第一上电极层交界处结构为一阶同心圆金属掩埋光栅，第二上电极层的结构为二阶同心圆金属‑空气光栅。一阶同心圆金属掩埋光栅与二阶同心圆金属‑空气光栅的圆心重合。一阶同心圆金属掩埋光栅激射角向基模，在波导内产生各向同性的柱面波辐射；二阶同心圆金属‑空气光栅将波导内光耦合为垂直面发射的径向偏振柱矢量光束。最终本专利器件可以单片集成的获得径向偏振的柱矢量光束。
- 一种半导体紫光紫外激光器-202320891809.2
- 阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 - 安徽格恩半导体有限公司
- 2023-04-20 - 2023-09-12 - H01S5/34
- 本实用新型提出一种半导体紫光紫外激光器，该半导体紫光紫外激光器具有折射率系数梯度、禁带宽度梯度、介电常数梯度和电子有效质量梯度。通过设计折射率系数梯度和介电常数梯度，抑制上波导层和下波导层的光吸收损耗，降低内部光学损耗，改善有源层的折射率随高浓度载流子起伏引起的折射率色散，降低激射纵模的多模和模间变化，提升限制因子和模式增益以及相干性，改善远场FFP图像质量。通过设计禁带宽度梯度和电子有效质量梯度，降低空穴注入势垒，提升电子阻挡势垒，降低电子泄漏和去局域化，提升空穴注入效率，提升有源层的电子空穴注入均匀性，提升激光增益均匀性，改善增益谱变宽问题，提升峰值增益和斜率效率，降低阈值电流。
- 一种半导体蓝光激光器-202320891286.1
- 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 - 安徽格恩半导体有限公司
- 2023-04-20 - 2023-09-12 - H01S5/34
- 本实用新型提出了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。本实用新型能够抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN的In并入及InN和GaN的互溶隙，抑制InN相分离和热退化，提升量子阱的晶体质量和界面质量，降低激光光谱的非均匀展宽，降低非辐射复合，消除光学灾变，提升激光器的斜率效率和使用寿命。
- 一种半导体紫光紫外发光二极管-202320891903.8
- 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君 - 安徽格恩半导体有限公司
- 2023-04-20 - 2023-09-12 - H01S5/34
- 本实用新型提出了一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体，n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体之间具有电子有效质量梯度、热膨胀系数梯度和弹性系数梯度。热膨胀系数梯度和弹性系数梯度能够抑制量子限制Stark效应，降低空穴注入带阶，提升空穴注入效率，提升量子阱中电子空穴复合效率和紫光紫外发光二极管的外量子效率。电子有效质量梯度和热膨胀系数梯度组合能够进一步提升电子空穴的量子局域效应，抑制电子空穴被缺陷俘获几率，并降低量子阱中的电子空穴浓度差异和不匹配问题，从而降低紫光紫外发光二极管的老化漏电并进一步提升紫光紫外发光二极管的外量子效率。
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