[发明专利]MIM电容失配模型及其建立方法无效
申请号: | 201110108284.2 | 申请日: | 2011-04-28 |
公开(公告)号: | CN102184281A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 朱正鹏 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种MIM电容失配模型及其建立方法。所述MIM电容失配模型的建立方法,包括如下步骤:选取多个不同面积的MIM电容;生成所述MIM电容的失配率随变化的指数拟合函数,其中area表示所述MIM电容的面积的取值;根据所述指数拟合函数,建立所述MIM电容的失配模型。采用本发明的方法建立的MIM电容失配模型更加准确。 | ||
搜索关键词: | mim 电容 失配 模型 及其 建立 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MIM电容失配模型的建立方法,其特征在于,包括如下步骤:选取多个不同面积的MIM电容;生成所述MIM电容的失配率随变化的指数拟合函数,其中area表示所述MIM电容的面积的取值;根据所述指数拟合函数,建立所述MIM电容的失配模型。
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