[发明专利]铜互连工艺中MIM电容的制作方法在审
| 申请号： | 202011189148.6 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112259524A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 卢光远;陈瑜;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种铜互连工艺中MIM电容的制作方法，涉及半导体制造领域。该方法包括提供一衬底，衬底上制作有第x铜金属连线层；形成绝缘介质层；在绝缘介质层的表面同时定义对位标记图案和MIM下极板图案；根据对位标记图案和MIM下极板图案进行刻蚀；形成MIM下极板金属层；对衬底进行CMP处理，在绝缘介质层中形成MIM下极板；形成MIM电容的介电层、MIM上极板金属层；定义MIM上极板图案；刻蚀MIM上极板金属层、MIM电容的介电层，形成MIM电容；解决了目前铜互连工艺中的MIM电容制作时需要多次曝光刻蚀，生成成本工艺风险高的问题；达到了减少依次曝光刻蚀，降低生产成本和工艺风险的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 工艺 mim 电容 制作方法 | ||
【主权项】：
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