[发明专利]制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法以及半导体衬底无效
申请号: | 201110183212.4 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102299093A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 魏星;仰庶;曹共柏;张峰;王曦 | 申请(专利权)人: | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/20;H01L29/06 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 孙佳胤;翟羽 |
地址: | 201821 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法,包括如下步骤:提供第一衬底与第二衬底;在第一衬底表面外延形成器件层;在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层;以绝缘层和器件层为中间层,将第一衬底和第二衬底键合在一起;对键合后的衬底实施第一退火步骤;去除第一衬底,形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底;对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤,所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。本发明的优点在于,得到的SOI材料顶层硅完全由外延材料组成,与常规工艺生产的SOI材料顶层半导体层相比其氧元素和金属含量低,并且晶格完美,无原生缺陷产生,能够大幅度提高器件的良率。 | ||
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【主权项】:
一种制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法,其特征在于,包括如下步骤:提供第一衬底与第二衬底;在第一衬底表面外延形成器件层;在第二衬底和/或器件层的表面形成绝缘层;以绝缘层和器件层为中间层,将第一衬底和第二衬底键合在一起;对键合后的衬底实施第一退火步骤;去除第一衬底,形成由器件层、绝缘层和第二衬底构成的带有绝缘埋层的半导体衬底;对此带有绝缘埋层的半导体衬底实施第二退火步骤,所述第二退火步骤的退火温度大于第一退火步骤的退火温度。
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- 杨事成;黄建;张锋;闫宝安;李众;郭松辉;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
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- 本发明提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构中,在沟槽的底部和侧壁依次形成第一氧化硅层、生长控制层,然后刻蚀去除所述沟槽底部的所述生长控制层,接着在暴露出的所述第一氧化硅层和保留的所述生长控制层上形成第二氧化层以填充所述沟槽,由于所述第二氧化硅在所述第一氧化硅层上的生长速率大于在所述生长控制层的生长速率,故所述沟槽底部的所述第二氧化硅的生长速率大于所述沟槽侧壁的所述第一氧化硅的生长速率,因此,可以避免因位于沟槽侧壁的所述第二氧化硅层生长过快而导致出现提前封口的现象,进而可以避免产生空洞缺陷。
- 一种功率器件及其工艺方法-201710065005.6
- 朱明皓;李瑞钢 - 智瑞佳(苏州)半导体科技有限公司
- 2017-02-04 - 2019-08-30 - H01L21/762
- 一种功率器件,其包括半导体材料层、位于所述半导体材料层上的源极、栅极和漏极、氧化层、钝化层和漂移区场板,其还包括隔离介质层,所述隔离介质层位于所述半导体层上,处于所述栅极和所述漏极之间,所述氧化层覆盖所述源极、漏极及除所述栅极和所述隔离介质层外的所述半导体材料层,所述钝化层覆盖氧化层及栅极,所述漂移区场板自所述栅极上方的钝化层延伸至所述隔离介质层,并完全覆盖所述隔离介质层。本发明的功率器件通过隔离介质层隔离漂移区场板与半导体材料层,隔离介质层可以选择隔离介质的组成比例,介质生长厚度等,不受标准工艺的限制,可以大大改善漂移区场板对漂移区电场的调节能力,极大的提高功率器件的耐压和输出电流水平。
- 半导体结构的形成方法-201610081039.X
- 沈思杰;张怡 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2016-02-04 - 2019-08-27 - H01L21/762
- 一种半导体结构的形成方法,包括:提供包括第一区域和第二区域的衬底;在衬底上形成分立的浮栅层以及位于浮栅层表面的硬掩膜;以硬掩膜为掩膜刻蚀浮栅层露出的衬底,在衬底内形成位于第一区域的第一沟槽以及位于第二区域的第二初始沟槽;在第一沟槽内形成图形层;以图形层为掩膜,刻蚀第二初始沟槽形成第二沟槽;在第一沟槽内形成第一隔离结构。本发明先形成具有第一沟槽和第二初始沟槽,再遮挡住第一沟槽,刻蚀第二初始沟槽形成第二沟槽。在不影响第二沟槽深度的同时,获得深度较小的第一沟槽以降低第一沟槽的深宽比,从而提高第一隔离结构的形成质量,进而提高半导体器件的电学性能。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造