[发明专利]用于发光装置的发光区域有效
| 申请号： | 201280011989.5 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103430333A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·拉默;S·丁 | 申请（专利权）人： | 东芝技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光装置包括：具有n型III-V族半导体的第一层；与所述第一层相邻的第二层，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料。在某些例子中，所述有源材料具有密度在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的一个或多个V凹点。所述发光装置包括与所述第二层相邻的第三层，所述第三层包括p型III-V族半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光 装置 区域 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)，包括：第一层，其包括n型III‑V族半导体；第二层，其与所述第一层相邻，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料；第三层，其与所述第二层相邻，所述第三层包括p型III‑V族半导体；以及硅基板，其与所述第一层或所述第三层之一相邻，其中所述有源材料包括一个或多个V凹点，所述一个或多个V凹点在所述有源层与所述第三层之间的界面处具有一个或多个开口，所述V凹点具有在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的密度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝技术中心有限公司，未经东芝技术中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280011989.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铣床方形工件复合夹具
- 下一篇：一种三工位传动装置
- 同类专利
- 发光组件以及发光组件的制造方法-201580056613.X
- 石崎顺也;古屋翔吾 - 信越半导体株式会社
- 2015-10-15 - 2019-10-25 - H01L33/22
- 本发明提供一种发光组件以及发光组件的制造方法，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含有第二半导体层、活性层及第一半导体层，其中发光组件具有除去发光部的除去部、除去部以外的非除去部、设置于非除去部的第一半导体层上的第一奥姆电极、及设置于除去部的窗层兼支持基板上的第二奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的外周部除外的表面以及窗层兼支持基板的表面为经粗糙化，且发光部侧面的Rz为未满2μm。因此使漏电不良或ESD不良的发生受到抑制。
- 衬底结构、其形成方法以及使用其制造氮化物半导体的方法-201580048455.3
- 裵德圭;文泳棓;朴容助 - 海瑟解决方案股份有限公司
- 2015-06-19 - 2019-10-22 - H01L33/22
- 提供了一种衬底结构、一种形成衬底结构的方法、使用衬底结构的半导体层叠结构、一种形成半导体层叠结构的方法、以及使用其制造氮化物半导体的方法，所述衬底结构不仅能够在氮化物半导体层生长期间减少作用在氮化物半导体上的应力，还能够形成高质量氮化物半导体层，并且促进了氮化物半导体层与衬底的分离。根据本公开所述的衬底结构包括：与氮化物半导体异质的单晶衬底；和无机薄膜，所述无机薄膜包括腿部，所述腿部构造用于接触衬底以在腿部和衬底之间限定集成空腔，以及从腿部平行于衬底延伸的上表面部，所述无机薄膜以与所述衬底相同的晶体结构结晶。
- 半导体器件-201880008015.9
- 李建和;朴修益;李容京;金伯俊;金明燮 - LG伊诺特有限公司
- 2018-01-25 - 2019-09-06 - H01L33/22
- 根据实施例的半导体器件可以包括多个发光结构；布置在多个发光结构周围的第一电极；布置在多个发光结构的上表面处的第二电极、电连接到第一电极的第一结合焊盘以及电连接到第二电极的第二结合焊盘。多个发光结构可以包括：第一发光结构，该第一发光结构包括第一导电类型的第一DBR层、布置在第一DBR层上的第一有源层、以及布置在第一有源层上的第二导电类型的第二DBR层；以及第二发光结构，该第二发光结构包括第一导电类型的第三DBR层、布置在第三DBR层上的第二有源层、以及布置在第二有源层上的第二导电类型的第四DBR层。第一电极可以电连接到第一DBR层和第三DBR层，并且布置在第一发光结构和第二发光结构之间。第二电极可以电连接到第二DBR层和第四DBR层，并且布置在第二DBR层的上表面和第四DBR层的上表面上。
- 发光组件以及发光组件的制造方法-201580069819.6
- 石崎顺也;古屋翔吾 - 信越半导体株式会社
- 2015-12-09 - 2019-06-25 - H01L33/22
- 本发明提供一种发光组件，具有窗层兼支持基板及设置于窗层兼支持基板上的发光部，发光部依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，其中第一半导体层上设置有第一奥姆电极，第一半导体层的表面以及发光部的侧面的至少一部份以绝缘保护膜所覆盖，第一半导体层的表面以及窗层兼支持基板的表面经表面粗糙化，以及第一半导体层由至少二层以上的结构所构成，其中施以表面粗糙化处理侧的层经与活性层侧的层相比系由Al成分较少的材料所构成。由此能维持披覆层的载子局限效果，并获得所期望的粗糙面形状。
- 发光器件和用于制造发光器件的方法-201480008311.0
- C.E.蒂姆梅林;M.A.维舒尤伦;T.洛佩滋;A.R.巴肯恩德 - 亮锐控股有限公司
- 2014-01-31 - 2019-04-16 - H01L33/22
- 本发明涉及发光器件（100），其包括：衬底（102）；布置在衬底（102）上的发光二极管结构（106），二极管结构（106）包括第一半导体层（108）、有源区（110）和第二半导体层（112），其中二极管结构的光输出表面包括多个突出表面结构（104），每个突出表面结构具有峰高度、侧壁斜率（122）和相对于衬底的取向，多个突出表面结构（104）包括第一组和第二组突出表面结构，第一组和第二组突出表面结构在峰高度、侧壁斜率和相对于衬底的取向的至少一个上不同。本发明还涉及用于制造发光器件的方法，其中突出表面结构通过形成三维图案的压印光刻法和随后的蚀刻来形成。
- 发光器件-201580034883.0
- 李大熙 - LG伊诺特有限公司
- 2015-06-22 - 2019-04-09 - H01L33/22
- 根据实施例的发光器件包括：第一发光单元，该第一发光单元包括至少一个发光单体；第二发光单元，该第二发光单元具有多个发光单体，其中发光单体具有发光结构和被布置在发光结构之下的第一电极层；多个焊盘，多个焊盘被布置在第一发光单元的发光单体上，并且被连接到第一发光单元和第二发光单元中的每个发光单体；多个连接层，该多个连接层从第一发光单元的发光单体的下部区域延伸到第二发光单元的多个发光单体的下部区域；第二电极层，该第二电极层被布置在第一发光单元和第二发光单元的发光单体之下；绝缘层，该绝缘层被布置在第一电极层和第二电极层之间；以及间隙单元，该间隙单元被布置在该至少一个发光单体和该多个发光单体之间，其中多个连接层中的每个通过间隙单元的下部区域连接到第二发光单元的多个发光单体。
- 半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件-201480055435.4
- 梶田康仁;筱塚启;大纮太郎 - 王子控股株式会社
- 2014-10-09 - 2019-04-09 - H01L33/22
- 本发明提供一种能够提升在半导体发光元件中的光取出效率的半导体发光元件用基板的制造方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件用基板以及半导体发光元件。半导体发光元件用基板(11)具有可形成有包含半导体层的发光构造体的发光构造体形成面(11S)，发光构造体形成面(11S)具备：沿着一个结晶面展开的平坦部(14)、从平坦部(14)突出的多个大径突部(12)、以及小于大径突部(12)的多个小径突部(13)，所述多个小径突部(13)中的至少一部分从所述大径突部(12)的外表面突出。
- 光电子半导体芯片、光电子器件和用于制造半导体芯片的方法-201480041995.4
- 于尔根·莫斯布格尔;卢茨·赫佩尔 - 欧司朗光电半导体有限公司
- 2014-07-23 - 2019-04-05 - H01L33/22
- 提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有载体(2)和半导体本体(1)，所述半导体本体包括设置用于产生电磁辐射的有源层(13)，其中半导体本体设置在载体上，半导体本体具有背离载体的第一主面(1A)和朝向载体的第二主面(1B)，半导体芯片具有带有锚固结构(4)的侧面(1C)，并且第二主面设置在第一主面和锚固结构之间。此外，提出一种具有这种半导体芯片的光电子器件(100)和一种用于制造多个这种半导体芯片的方法。
- 半导体发光元件的制造方法以及半导体发光元件-201480043454.5
- 门胁嘉孝 - 同和电子科技有限公司
- 2014-07-30 - 2019-02-12 - H01L33/22
- 在由半导体晶体形成的光取出面通过使用碱性溶液的湿式蚀刻而形成凹凸图案的情况下，无法以期望的排列形成多个凸部。本发明提供一种具备由半导体晶体形成的光取出面(7)的半导体发光元件的制造方法，在光取出面(7)由多个凸部(15)形成凹凸图案的情况下，首先，使用加工基板(11)在由半导体晶体形成的半导体层(6)的光取出面(7)形成多个压痕(14)，接着，通过碱性溶液对光取出面(7)进行湿式蚀刻来形成以形成有压痕(14)的部位为顶部且以半导体晶体的多个刻面为侧面的凸部(15)。
- 发光二极管及其制造方法-201580020361.5
- 林亨镇;申赞燮;李圭浩;金泰均;太星元 - 首尔伟傲世有限公司
- 2015-04-21 - 2019-01-04 - H01L33/22
- 这里公开的是一种包括包含氧化锌的多个突出的发光二极管以及一种用于制造所述发光二极管的方法。根据本公开的示例性实施例，发光二极管包括：基板；氮化物发光结构，布置在基板上；以及透明电极层，布置在氮化物发光结构上，其中，透明电极层包括多个突出，所述多个突出中的每个具有下区域和上区域，并且下区域的侧表面和上区域的侧表面具有不同的斜率。
- 半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法-201380043898.4
- 八田嘉久;篠塚启;大纮太郎;梶田康仁 - 王子控股株式会社
- 2013-08-21 - 2018-12-25 - H01L33/22
- 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：粒子排列步骤，使多个粒子(M)以单层排列在基板(S)；粒子蚀刻步骤，以粒子(M)被蚀刻且基板(S)实质上未被蚀刻的条件，对排列的多个粒子(M)进行干式蚀刻而在粒子(M)间设置间隙；以及基板蚀刻步骤，将粒子蚀刻步骤后的多个粒子(M1)作为蚀刻掩膜对基板(S)进行干式蚀刻，而在基板(S)的一面(X)形成凹凸构造。
- LED元件-201480030601.5
- 大矢昌辉;难波江宏一;铃木敦志;近藤俊行;森美登里 - 崇高种子公司
- 2014-05-19 - 2018-12-14 - H01L33/22
- 一种LED元件，为了利用衍射作用提高光的取出效率，同时利用起因于衍射的配光特性实现适当的配光，其具备：表面形成有周期的凹部或凸部的蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底的表面上形成且由含有发光层的III族氮化物半导体构成的半导体层叠部、将从发光层发出的光的至少一部分反射到蓝宝石衬底的表面侧的反射部，在蓝宝石衬底与半导体层叠部的界面获得从发光层发出的光的衍射作用，其中，将凹部或凸部的周期设为P、将从发光层发出的光的峰值波长设为λ时，并满足1/2×λ≤P≤16/9×λ的关系。
- 半导体发光装置-201480033276.8
- 山口布士人;白仓奈央 - 旭化成株式会社
- 2014-06-02 - 2018-09-25 - H01L33/22
- 一种半导体发光装置，其特征在于，由半导体发光元件(100)及波长转换构件而构成，该半导体发光元件(100)具有将至少2层以上的半导体层(103)(105)与发光层(104)层叠而构成的层叠半导体层(110)，并发出第一光，该波长转换构件至少覆盖半导体发光元件(100)的一部分，吸收第一光的至少一部分，并发出波长与第一光不同的第二光，半导体发光元件(100)在构成半导体发光元件(100)的任一主面上，具备微细结构层作为构成要素，该微细结构层包含由朝面外方向延伸的多个凸部或凹部构成的点，微细结构层构成至少由点间的间距、点径或点高度中的任一个所控制的二维光子晶体(102)，且二维光子晶体(102)至少具有各为1μm以上的2个以上的周期。
- 发光元件-201480048407.X
- 成演准;丁圣勋;成俊昊;赵喜珍 - LG伊诺特有限公司
- 2014-08-12 - 2018-08-31 - H01L33/22
- 根据实施例公开了一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及光提取器，布置在所述发光结构上，所述光提取器包括：具有第一湿蚀刻速率的第一氮化物半导体层，布置在所述第一导电型半导体层上；具有第二湿蚀刻速率的第二氮化物半导体层，布置在所述第一氮化物半导体层上，以及具有第三湿蚀刻速率的第三氮化物半导体层，其中所述第一湿蚀刻速率和所述第三湿蚀刻速率比所述第二湿蚀刻速率低。
- 半导体发光元件及其制造方法-201480044676.9
- 赤木孝信;斋藤龙舞 - 斯坦雷电气株式会社
- 2014-08-01 - 2018-07-06 - H01L33/22
- 本发明包括以下步骤：在半导体结构层的表面上形成基于半导体结构层的表面的晶体方向布置的易蚀刻部分的步骤；以及对半导体结构层的表面进行湿蚀刻并且在半导体结构层的表面上形成包括由于半导体结构层的晶体结构导致的多个突起的凹凸结构面的步骤。
- LED用图案晶片、LED用外延片以及LED用外延片的制造方法-201480031293.8
- 古池润 - 旭化成株式会社
- 2014-05-28 - 2018-04-20 - H01L33/22
- LED用图案晶片(10)在主面的至少一部分上具备具有实质上n次对称的排列的凹凸结构A(20)，对于凹凸结构A(20)的至少一部分，相对于其主面内的晶轴方向的、凹凸结构A(20)的排列轴A的旋转位移角θ满足0°＜θ≦(180/n)°，且凹凸结构A(20)的凸部顶部为曲率半径超过0的角部。在凹凸结构A(20)上按以下顺序层叠有第一半导体层(30)、发光半导体层(40)以及第二半导体层(50)，构成LED用外延片(100)。能够提供改善了裂缝以及内量子效率IQE的LED用图案晶片以及LED用外延片。
- 发光元件-201680041849.0
- 须崎泰正;绳田晃史;田中觉 - SCIVAX株式会社
- 2016-07-12 - 2018-03-27 - H01L33/22
- 本发明提供一种发光元件，其利用比光的散射效应更以衍射效应为主的凹凸构造，由此提高光取出效率。发光元件具备积层部(8)，至少积层包含发光层(84)的半导体层；及衍射面(2)，具有凹凸构造，该凹凸构造形成于积层部(8)所包含的层的任意边界，以按照布拉格的衍射条件反射从发光层(84)发出的射入光的方式形成，其特征为，凹凸构造形成为，凸部侧壁相对于衍射面(2)的倾斜大于75度。
- 半导体发光元件及其制造方法-201480042758.X
- 井上振一郎;溜直树 - 国立研究开发法人情报通信研究机构;斯坦雷电气株式会社
- 2014-07-25 - 2018-01-30 - H01L33/22
- 提供即使发光波长为短波长也能够获得较高的光提取效率、均匀的光输出的半导体发光元件、以及能够以高再现性、高生产率制造该半导体发光元件的半导体发光元件的制造方法。半导体发光元件为具备包含发光层的半导体层的半导体发光元件，其中，半导体发光元件的表面包含光提取面。在半导体发光元件内折射率互不相同的两个层之间的界面以及光提取面中的至少一者形成有周期凹凸结构和微细凹凸结构，该周期凹凸结构具有超过自发光层射出的光的波长的0.5倍的周期，该微细凹凸结构位于周期凹凸结构的表面上，具有光的波长的0.5倍以下的平均直径。
- 用于制造半导体发光元件的方法-201480019270.5
- 赤木孝信;斋藤龙舞;宫地护 - 斯坦雷电气株式会社
- 2014-03-05 - 2018-01-23 - H01L33/22
- 提供了一种具有规则地排列并且具有一致大小的突出部的高可靠性的半导体发光元件、以及一种用于制造所述元件的方法。用于制造半导体发光元件的该方法包括用于在半导体结构层的表面上形成具有沿着所述半导体结构层的晶轴等间隔地排列的多个开口的掩模层的步骤；用于对通过掩模层的开口暴露的半导体结构层的表面执行等离子体处理的步骤；用于去除掩模层的步骤；以及用于通过对半导体结构层的表面进行湿蚀刻来在半导体结构层的表面上形成突出部的步骤。
- 发光器件和用于创建发光器件的方法-201380028774.9
- R.辛格;J.E.埃普勒 - 皇家飞利浦有限公司
- 2013-05-22 - 2018-01-19 - H01L33/22
- 发光器件（200）的光出射表面的结构特性被控制以便在表面被粗糙化时增加该表面（225）的光提取效率。包括具有对粗糙化过程的不同耐久性的材料的层的发光表面（225）展现出比暴露于相同粗糙化过程的实质上一致的发光表面更高的光提取效率。在GaN‑型发光器件（200）中，与通过仅包括GaN材料的表面的常规蚀刻创建的特征相比，光出射表面（225）上或者附近的AlGaN材料的薄层（240）在蚀刻之后创建更尖锐的特征。
- 半导体发光元件的制造方法、及半导体发光元件-201480018911.5
- 武田孔明;山田哲史 - 旭化成株式会社
- 2014-03-28 - 2017-09-22 - H01L33/22
- 一种半导体发光元件的制造方法，其具备设置工序将在第一主表面上形成有半导体层的氮化铝基板(1)设置在腔室(51)内；氧化膜形成工序在向腔室(51)内导入了水(H2O)分子的状态下对该腔室(51)内进行加热，在位于氮化铝基板(1)的第一主表面的相反侧的第二主表面(1b)上形成包含非晶氧化膜的氧化膜。
- 发光元件及其制造方法-201680004068.4
- 崔有项 - 流明斯达有限公司
- 2016-10-14 - 2017-08-29 - H01L33/22
- 本发明提供发光元件及其制造方法。发光元件，包含基板；第1导电型半导体层，配置在所述基板上，具有第1导电型下部半导体层和形成在所述第1导电型下部半导体层上的第1导电型上部半导体层，第1导电型下部半导体层具备空心图案；活性层，配置在所述第1导电型半导体层上；第2导电型半导体层，配置在所述活性层上；以及第1电极和第2电极，分别位于所述第1导电型半导体层和第2导电型半导体层上，在从垂直方向的截面观察时，与所述空心图案相邻的所述第1导电型下部半导体层的侧壁形成为直线形态，并且所述侧壁通过相反梯度蚀刻法蚀刻而形成为，所述侧壁相对于与所述空心图案重叠的所述基板的表面所构成的外侧倾斜角具有锐角。
- 半导体发光器件的表面处理-201280049448.1
- 戎亦文;J.G.内夫;T.S.唐 - 皇家飞利浦有限公司
- 2012-10-01 - 2017-08-25 - H01L33/22
- 根据本发明的实施例的方法包括粗糙化（图6）半导体结构（46‑48，图5）的表面（58）。所述半导体结构包括发光层（47）。所述表面（58）是通过其从所述半导体结构提取光的表面。在粗糙化之后，处理（图7）经粗糙化的表面以增加所述表面处的全内反射或吸收，或者减少通过所述表面（58）从所述半导体结构提取的光的量。
- 氮化物半导体发光元件-201480002287.X
- 驹田聪 - 夏普株式会社
- 2014-07-09 - 2017-07-04 - H01L33/22
- 在氮化物半导体发光元件中，依次设置有具有凹凸形状的基板、基底层以及至少具有发光层的氮化物半导体层叠结构。在凹凸形状所包含的凸部的上方且基底层的内部，设置有空洞部分。
- 氮化物半导体结构、发光元件、晶体管元件及其制造方法-201180068639.8
- 荒木正浩;吉田慎也;泷口治久;小河淳;木下多贺雄;村田彻;船木毅;布袋田畅行 - 夏普株式会社
- 2011-12-21 - 2017-05-10 - H01L33/22
- 本发明提供一种氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法，是在表面上具有凹部（1b）和设置在凹部（1b）之间的凸部（1a）的基板（1）上设置第一氮化物半导体基础层（4）、第一氮化物半导体基础层（4）在凸部（1a）的外侧具有环绕凸部（1a）的至少六个第一小斜面（4r）、第二氮化物半导体基础层（5）填埋第一小斜面（4r）而形成的氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件（100，200，500）、氮化物半导体晶体管元件（300，400，600）、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件（100，200，300，400，500，600）的制造方法。
- 半导体发光元件-201480002009.4
- 山本宏明;近江晋;翁宇峰;田边皇纪 - 夏普株式会社
- 2014-06-10 - 2017-05-03 - H01L33/22
- 半导体发光元件(10)具备基板(11)；半导体层叠部(22)，设置在基板(11)上，至少具有第一导电型半导体层(14)、发光层(16)和第二导电型半导体层(18)。基板(11)相对于来自发光层(16)的光而具有透光性，并具有六面体形状，包括设置半导体层叠部(22)的第一面(11a)、位于与第一面(11a)相反的一侧的第二面(11b)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交的一对第三面(11c)、与第一面(11a)及第二面(11b)正交且与一对第三面(11c)不同的一对第四面(11d)。第一面(11a)具有交替地形成凹部(31A)和凸部(31B)而成的凹凸构造(31)。第三面(11c)分别在与第二面(11b)相距第一距离的位置具有第一改质层(41)。第四面(11d)分别具有两层以上的改质层(42，43，44)。
- 光学基板、半导体发光元件以及半导体发光元件的制造方法-201380018450.7
- 古池润;三田村哲理;山口布士人 - 旭化成株式会社
- 2013-03-29 - 2017-03-22 - H01L33/22
- 光学基板(1)在表面设置有凹凸结构(12)，所述凹凸结构(12)包括独立的多个凸部(131～134)以及设置于各凸部(131～134)之间的凹部(14)。凹凸结构(12)的相邻的凸部(131～134)间的平均间隔Pave满足50nm≤Pave≤1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6Have≥hn≥0的凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≤Z≤1/5的概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光元件中的话，通过使半导体层中的位错分散化并降低位错密度，能够改善内量子效率IQE，且利用光散射消除波导模式来提高光提取效率LEE，提高半导体发光元件的发光效率。
- 光学用基材以及半导体发光元件-201280039901.0
- 山口布士人;古池润;前田雅俊 - 旭化成株式会社
- 2012-08-30 - 2017-03-15 - H01L33/22
- 提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材（1）具有微细结构层（12），所述微细结构层（12）包含由从基材（11）主面向面外方向延伸的多个凸部（13）构成的点，微细结构层（12）在基材（11）主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列（13‑1～13‑N），在基材（11）主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列，间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔，另一方为纳米尺度的不固定间隔，或者两者均为纳米尺度的不固定间隔。
- 用于分离外延层与生长基板的方法及使用其的半导体器件-201380015444.6
- 许政勋;崔周源;李忠敏;辛秀珍;南基范;韩釉大;李阿兰澈 - 首尔伟傲世有限公司
- 2013-03-19 - 2017-02-22 - H01L33/22
- 本发明涉及一种用于将外延层与生长基板分离的方法，并涉及一种使用该方法的半导体器件。根据本发明，提供了包括支撑基底和设置在支撑基底上的多个半导体层的半导体器件，其中，半导体层的最上层的表面具有不均匀的粗糙度。
- 磊晶成长用基板及使用其的发光组件-201580016104.4
- 关隆史;西村涼;鸟山重隆;高桥麻登香 - 捷客斯能源株式会社
- 2015-03-26 - 2016-11-16 - H01L33/22
- 本发明的磊晶成长用基板是于基材上形成有具有大量凸部与凹部的凹凸图案，且上述凸部具有俯视下各自蜿蜒并延伸的细长形状，于上述凹凸图案中，上述大量的凸部其延伸方向、弯曲方向及长度不均一。本发明提供一种可高效率地制造、且可使发光组件的发光效率提高的磊晶成长用基板、及使用该基板的发光组件。
- 专利分类
