[发明专利]太阳能电池器件及其制备方法无效
申请号: | 201310264337.9 | 申请日: | 2013-06-27 |
公开(公告)号: | CN104253167A | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 周明杰;黄辉;陈吉星;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L31/0256 | 分类号: | H01L31/0256;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 生启;何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种太阳能电池器件,包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、中间层、第二活性层、电子缓冲层及阴极,第一活性层和第二活性层的材料为聚3-己基噻吩与6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的混合物,中间层包括富勒烯衍生物层、层叠于富勒烯衍生物层表面的锂盐层及层叠于锂盐层表面的掺杂层,富勒烯衍生物层的材料选自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯及[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的至少一种,锂盐层的材料选自碳酸锂、氟化锂及氧化锂中的至少一种,掺杂层的材料包括酞菁化合物及掺杂在酞菁化合物中的空穴传输材料。该太阳能电池器件的能量转换效率较高。此外,还提供了一种太阳能电池器件的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池器件,其特征在于,包括依次层叠的阳极、空穴缓冲层、第一活性层、中间层、第二活性层、电子缓冲层及阴极,所述第一活性层和第二活性层的材料为聚3‑己基噻吩与6,6‑苯基‑C61‑丁酸甲酯的混合物,所述中间层包括富勒烯衍生物层、层叠于所述富勒烯衍生物层表面的锂盐层及层叠于所述锂盐层表面的掺杂层,所述富勒烯衍生物层的材料选自足球烯、碳70、[6,6]‑苯基‑C61‑丁酸甲酯及[6,6]‑苯基‑C71‑丁酸甲酯中的至少一种,所述锂盐层的材料选自碳酸锂、氟化锂及氧化锂中的至少一种,所述掺杂层的材料包括酞菁化合物及掺杂在所述酞菁化合物中的空穴传输材料,所述酞菁化合物选自酞菁铜、酞菁镁、酞菁锌及酞菁钒中的至少一种,所述空穴传输材料选自2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌、4,4',4"‑三(N‑(1‑萘基)‑N‑苯基氨基)三苯胺、4,4',4"‑三(N‑(2‑萘基)‑N‑苯基氨基)三苯胺及4,4',4"‑三(N,N‑2‑苯基氨基)三苯胺中的至少一种。
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- 本发明适用于芯片制造领域,提供一种高速铟镓砷探测器及其制作方法,所述探测器包括半绝缘InP衬底、第一梯台和第二梯台,所述第一梯台底层为InP缓冲层,顶层为n型接触层,所述第二梯台从底层到顶层依次为第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层,所述第二腐蚀停止层上形成有p型接触层,在所述第二梯台侧面以及顶面且位于p型接触层的外周部分设有钝化层,探测器表面覆盖有介质层。一方面通过合理设置探测器各层结构以减小正向电阻,另外采用低节电常数的苯并环丁烯涂层或者聚酰亚胺涂层作为PN结的钝化层保护层,可以有效减少寄生电容,通过减小RC常数,探测器可以实现高于20GHz带宽,探测器工作速率可以达到25Gb/s。
- 一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法-201410200248.2
- 左传天;丁黎明 - 国家纳米科学中心
- 2014-05-13 - 2014-07-30 - H01L31/0256
- 本发明涉及一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法。所述方法包括:在钙钛矿的反应物中加入添加剂形成钙钛矿前驱体溶液;然后将所述前驱体溶液旋涂到覆盖有电子传输材料或空穴传输材料的基底上,热处理后形成钙钛矿吸光层薄膜;其中,所述添加剂包括CnH2n+1NH3B、AB型化合物中的一种或多种,其中n=0~3,A选自一价金属,B选自F、Cl、Br或I。本发明的方法制备的钙钛矿太阳电池吸光层可以使电池效率从不到6%增加到超过10%,本发明的方法简单有效,简化了制备过程,可以节约生产成本。因此,本发明改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法具有极高的工业应用价值。
- 具有改进的吸收材料的串叠型太阳能电池-201280010920.0
- O·古纳万;金志焕;D·B·米茨;D·K·萨达那;T·K·托多洛夫 - 国际商业机器公司
- 2012-01-26 - 2013-11-20 - H01L31/0256
- 一种光敏器件和方法包括具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层的顶部电池(102)。底部电池(104)包括N型层、P型层和它们之间的底部本征层。所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物(116)。
- 改进的晶体硅片、电池片及太阳能发电装置-201110290205.4
- 赵钧永 - 赵钧永
- 2011-09-17 - 2013-03-27 - H01L31/0256
- 本发明涉及以晶体硅或铸造晶体硅或硅合金为主体的改进的晶体硅片、电池片和太阳能发电装置。现有的晶体硅片、晶体硅电池片,形状为具有四个倒角的四边形,由于倒角的存在,其制造和加工处理过程中,易于破碎、损伤,倒角缺损的修复能力低,成品率低;现有的大曲率半径圆角单晶硅片制成的电池片,拼排、封装成晶体硅太阳能发电装置,封装材料的有效利用率低。本发明采用凸角形的硅片、电池片结构,和小曲率半径的圆弧角的硅片、电池片,具有提高硅片制造的成品率,提高微小损伤修复能力,提高太阳能发电装置的有效面积利用率,降低成本等优点。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的