[发明专利]微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器有效

申请号：	201610565762.5	申请日：	2016-07-18
公开（公告）号：	CN106129141B	公开（公告）日：	2018-07-31
发明（设计）人：	尤立星;巫君杰;李浩;王镇;方伟;童利民	申请（专利权）人：	中国科学院上海微系统与信息技术研究所;浙江大学
主分类号：	H01L31/0256	分类号：	H01L31/0256;H01L31/0352;H01L31/08;B82Y15/00;B82Y30/00
代理公司：	上海光华专利事务所(普通合伙) 31219	代理人：	余明伟
地址：	200050 ***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明提供一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，包括：微纳光纤及超导纳米线；所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面，且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。本发明将超导纳米线形成于所述微纳光纤表面，利用微纳光纤在微纳尺度的光传输、耦合特性，可以实现微纳光纤与超导纳米线的直接高效光耦合，提高了超导纳米线单光子探测器的光耦合效率；超导纳米线的有效面积与传统器件相比不受光纤端面尺寸限制，可以减小超导纳米线的长度，从而有效降低超导纳米线单光子探测器的动态电感，进而提高超导纳米线单光子探测器的速率；超导纳米线直接形成于所述微纳光纤的表面，提高了超导纳米线单光子探测器长期工作的稳定性。
搜索关键词：	光纤表面制备导纳米线光子探测器
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【主权项】：

1.一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器包括：微纳光纤及超导纳米线；其中，所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面，且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。

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发明人：王鸣魁;曹昆;崔金;左智翔;申燕 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： H01L31/0256
摘要：本发明公开了一种钙钛矿太阳电池及其制备方法，该太阳电池自下而上依次包括，透明电极、介孔p-i-n结构框架和对电极，其中所述的介孔p-i-n结构框架由n型半导体层、绝缘层和p型半导体层依次层叠构成，所述n型半导体层、所述绝缘层和所述p型半导体层均包含介孔，所述n型半导体层、绝缘层、p型半导体层的介孔内均填充有钙钛矿材料。其制备方法依次包括：在透明导电基底上通过旋涂法或丝网印刷法制备介孔p-i-n结构框架；填充钙钛矿材料，并制备对电极层。本发明的钙钛矿太阳电池通过使用介孔p-i-n结构框架能够简化制备工艺、降低制造成本，并有效保证太阳电池的能量转换效率，工业化应用前景良好。

一种高速铟镓砷探测器及其制作方法-201410224715.5
发明人：岳爱文;胡艳;李晶;刘科 -专利权人：武汉电信器件有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L31/0256
摘要：本发明适用于芯片制造领域，提供一种高速铟镓砷探测器及其制作方法，所述探测器包括半绝缘InP衬底、第一梯台和第二梯台，所述第一梯台底层为InP缓冲层，顶层为n型接触层，所述第二梯台从底层到顶层依次为第一腐蚀停止层、光吸收层、第二腐蚀停止层，所述第二腐蚀停止层上形成有p型接触层，在所述第二梯台侧面以及顶面且位于p型接触层的外周部分设有钝化层，探测器表面覆盖有介质层。一方面通过合理设置探测器各层结构以减小正向电阻，另外采用低节电常数的苯并环丁烯涂层或者聚酰亚胺涂层作为ＰＮ结的钝化层保护层，可以有效减少寄生电容，通过减小RC常数，探测器可以实现高于20GHz带宽，探测器工作速率可以达到25Gb/s。

一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法-201410200248.2
发明人：左传天;丁黎明 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2014-05-13 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L31/0256
摘要：本发明涉及一种改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法。所述方法包括：在钙钛矿的反应物中加入添加剂形成钙钛矿前驱体溶液；然后将所述前驱体溶液旋涂到覆盖有电子传输材料或空穴传输材料的基底上，热处理后形成钙钛矿吸光层薄膜；其中，所述添加剂包括C_nH_2n+1NH₃B、AB型化合物中的一种或多种，其中n＝0～3，A选自一价金属，B选自F、Cl、Br或I。本发明的方法制备的钙钛矿太阳电池吸光层可以使电池效率从不到6％增加到超过10％，本发明的方法简单有效，简化了制备过程，可以节约生产成本。因此，本发明改善钙钛矿太阳电池吸光层性能的方法具有极高的工业应用价值。

具有改进的吸收材料的串叠型太阳能电池-201280010920.0
发明人： O·古纳万;金志焕;D·B·米茨;D·K·萨达那;T·K·托多洛夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-01-26 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/0256
摘要：一种光敏器件和方法包括具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层的顶部电池（102）。底部电池（104）包括N型层、P型层和它们之间的底部本征层。所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物（116）。

改进的晶体硅片、电池片及太阳能发电装置-201110290205.4
发明人：赵钧永 -专利权人：赵钧永
申请日： 2011-09-17 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/0256
摘要：本发明涉及以晶体硅或铸造晶体硅或硅合金为主体的改进的晶体硅片、电池片和太阳能发电装置。现有的晶体硅片、晶体硅电池片，形状为具有四个倒角的四边形，由于倒角的存在，其制造和加工处理过程中，易于破碎、损伤，倒角缺损的修复能力低，成品率低；现有的大曲率半径圆角单晶硅片制成的电池片，拼排、封装成晶体硅太阳能发电装置，封装材料的有效利用率低。本发明采用凸角形的硅片、电池片结构，和小曲率半径的圆弧角的硅片、电池片，具有提高硅片制造的成品率，提高微小损伤修复能力，提高太阳能发电装置的有效面积利用率，降低成本等优点。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器有效

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