[发明专利]一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法有效
申请号: | 201711111653.7 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN107840305B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 张振伟;陈星;杨仁福 | 申请(专利权)人: | 北京无线电计量测试研究所 |
主分类号: | B81C3/00 | 分类号: | B81C3/00;B81C1/00;G04F5/14 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 100854 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法,利用槽型盖板与硅片形成一个密封腔体,使叠氮化钡BaN6和氯化铷RbCl反应生成的铷蒸汽与反应残渣分离,得到纯净的铷原子MEMS腔,提高了MEMS原子腔的透光性;通过对阳极键合机内的压强进行精确控制,使阳极键合机内的压强略高于MEMS腔体内压强,保证了在第二层硅‑玻璃阳极键合的过程中铷蒸汽不会泄漏,既保证了MEMS腔体内的充铷量又防止铷原子对键合界面的污染,提高了阳极键合的强度,同时提升了MEMS原子腔的性能。通过采用本发明的制作方法,可以去除MEMS原子腔内的杂质,透光性好,并提高MEMS原子腔的成品率。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 原子钟 mems 原子 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种芯片原子钟的MEMS原子腔的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、对硅片进行打孔并清洗;S2、将硅片和第一玻璃片放入阳极键合机进行第一层硅‑玻璃键合,形成硅‑玻璃片;S3、将叠氮化钡和氯化铷的混合溶液滴入硅片最外圈的孔内,并将溶液烘干放入阳极键合机;在所述硅‑玻璃片上盖上槽型盖板,并在槽型盖板与硅‑玻璃片之间垫上垫片,加热并抽真空,使叠氮化钡分解,同时将分解生成的N2抽走;S4、撤掉垫片,下降顶层压力头,施加压力使硅‑玻璃片与槽型盖板紧密接触形成密封腔体;S5、向阳极键合机腔体内充入氮气,使得硅‑玻璃片与槽型盖板形成的密封腔体内压强小于密封腔体外压强;加热生成铷单质,并使铷蒸汽充满所述密封腔体;S6、迅速降温使铷蒸汽凝华在硅片的孔内;S7、将第二玻璃片放入阳极键合机进行第二层硅‑玻璃键合,形成玻璃‑硅‑玻璃片;S8、切割所述玻璃‑硅‑玻璃片得到MEMS原子腔。
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