[发明专利]一种GaN基HEMT器件外延结构在审
| 申请号： | 201711443679.1 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108364997A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 何佳琦;王书昶;孙智江 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种GaN基HEMT器件外延结构，包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、双掺杂GaN层、本征GaN沟道层、AIN隔离层、双掺杂AlxGa1‑xN势垒层和GaN盖帽层；其中，双掺杂GaN层包括自上而下依次设置的n型掺杂GaN外延层、非掺杂GaN外延层和p型掺杂GaN外延层；双掺杂AlxGa1‑xN势垒层包括自下而上依次的n型掺杂AlxGa1‑xN外延层、非掺杂AlxGa1‑xN外延层和p型掺杂AlxGa1‑xN外延层，且双掺杂AlxGa1‑xN势垒层中Al元素的摩尔含量x满足0.2 | ||
| 搜索关键词： | 双掺杂 势垒层 外延层 外延结构 依次设置 非掺杂 高压高频 极化效应 成核层 盖帽层 隔离层 缓冲层 异质结 本征 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基HEMT器件外延结构，其特征在于：包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、双掺杂GaN层、本征GaN沟道层、AIN隔离层、双掺杂AlxGa1‑xN势垒层和GaN盖帽层；其中，双掺杂GaN层包括自上而下依次设置的n型掺杂GaN外延层、非掺杂GaN外延层和p型掺杂GaN外延层；双掺杂AlxGa1‑xN势垒层包括自下而上依次设置的n型掺杂AlxGa1‑xN外延层、非掺杂AlxGa1‑xN外延层和p型掺杂AlxGa1‑xN外延层，且双掺杂AlxGa1‑xN势垒层中Al元素的摩尔含量x 满足0.2 < x < 0.5。
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