[发明专利]掩模的制造方法在审
| 申请号： | 201811177917.3 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN109782524A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 林云跃;李信昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/22 | 分类号： | G03F1/22;G03F1/26;G03F1/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种掩模及其制造方法。此方法包含形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含形成牺牲多膜层于此盖层之上。此方法还包含形成开口于此牺牲多膜层之中以暴露出此盖层。此方法还包含形成第一吸收层于此牺牲多膜层之上，并覆盖此开口中的盖层。此方法还包含移除此牺牲多膜层中的开口外的第一吸收层，以形成第一吸收图案于此盖层的一部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 多膜层 盖层 吸收层 掩模 反射 开口 前侧表面 遮罩基板 移除 制造 图案 暴露 覆盖 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种掩模的制造方法，包括：形成一反射多膜层于一遮罩基板的一前侧表面之上；形成一盖层于该反射多膜层之上；形成一牺牲多膜层于该盖层之上；形成一开口于该牺牲多膜层之中以暴露出该盖层；形成一第一吸收层于该牺牲多膜层之上，并覆盖该开口中的该盖层；以及移除该牺牲多膜层中的该开口外的该第一吸收层，以形成一第一吸收图案于该盖层的一部分上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811177917.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光掩膜版及曝光系统
- 下一篇：掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法
- 同类专利
- 一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法-201510977465.7
- 刘静;伊福廷;张天冲;王波;张新帅;孙钢杰;王雨婷 - 中国科学院高能物理研究所
- 2015-12-23 - 2019-06-14 - G03F1/22
- 本发明公开了一种用于软X射线曝光的掩膜的制备方法，包括：在抛光硅片表面旋涂第一层聚酰亚胺膜，作为保护结构；在第一层聚酰亚胺膜表面蒸发铬金种子层，作为底金；在铬金种子层之上制备所需光刻胶图形；在具有光刻胶图形的铬金种子层之上电镀金得到所需的金图形，并去除光刻胶；用离子束刻蚀的方法去除作为底金的铬金种子层，露出第一层聚酰亚胺膜；在第一层聚酰亚胺膜表面继续旋涂第二层聚酰亚胺膜，金图形就包裹在两层聚酰亚胺膜中间；在硅片背面用湿法腐蚀的方法挖硅，开窗口，露出所需要的金图形，完成用于软X射线曝光的掩膜的制备。本发明避免了金图形在挖硅过程中所受到的破坏，使得前面的若干步骤都是在完整的硅片表面进行，操作方便。
- 掩模的制造方法-201811177917.3
- 林云跃;李信昌 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-10-10 - 2019-05-21 - G03F1/22
- 提供一种掩模及其制造方法。此方法包含形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含形成牺牲多膜层于此盖层之上。此方法还包含形成开口于此牺牲多膜层之中以暴露出此盖层。此方法还包含形成第一吸收层于此牺牲多膜层之上，并覆盖此开口中的盖层。此方法还包含移除此牺牲多膜层中的开口外的第一吸收层，以形成第一吸收图案于此盖层的一部分上。
- 一种掩膜板、光栅及制作方法-201910181892.2
- 李金祥;王洋;张灿;杨军;张荡;王纯杰 - 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
- 2019-03-11 - 2019-05-17 - G03F1/22
- 本发明提供了一种掩膜板、光栅及制作方法，属于显示技术领域。其中，掩膜板，包括：表面等离子激元激发结构，用于在紫外光的照射下激发等离子干涉光波；等离子干涉光波传输结构，用于对所述等离子干涉光波进行传输和整形，所述等离子干涉光波传输结构的厚度大于阈值。利用本发明的掩膜板，能够制备高精度的光栅。
- 用于减低极紫外光掩模缺陷的方法-201810320343.4
- 徐金厂;王中兴;林彦宏;杨稳儒;杨幸菱 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-04-11 - 2019-02-12 - G03F1/22
- 公开一种减低极紫外光(EUV)掩模缺陷的方法。所述方法包括以下步骤：提供晶片毛坯；识别晶片毛坯上的多个第一缺陷；在晶片毛坯的顶部上提供极紫外光掩模设计；识别极紫外光掩模设计上的具有对应的可拉伸区的非紧要区块；将极紫外光毛坯与极紫外光掩模设计进行交叠；识别多个第二缺陷，解决所述多个第二缺陷；识别多个第三缺陷，不解决所述多个第三缺陷；调整极紫外光掩模设计及极紫外光毛坯的相对位置以解决所述第三多个缺陷中的至少一者；以及调整所述非紧要区块中的至少一者在对应的可拉伸区内的位置，以解决所述多个第三缺陷中的至少一者。
- EUV保护膜及其制造方法-201610506548.2
- 邱壬官;叶昭辉 - 炬力奈米科技有限公司
- 2016-06-30 - 2017-04-05 - G03F1/22
- 本发明提供一种EUV保护膜及其制造方法，其中EUV保护膜，包括第一层、第二层以及层状材料。第二层形成于第一层上。层状材料形成于第一层与第二层之间。层状材料的材料包括石墨烯、氮化硼、过渡金属二硫属化物或其组合。本发明提供的EUV保护膜及其制造方法，具有较佳的导热性、机械强度以及韧性，进而提高使用寿命并减少工艺成本。
- X射线光罩结构及其制备方法-201410269842.7
- 许博渊 - 许博渊
- 2014-06-17 - 2015-03-25 - G03F1/22
- 本公开提供一种X射线光罩结构，包含一支撑基板，其为一体成型且具有至少一薄部，该至少一薄部由一墙部环绕；一顶层，设置于该支撑基板的该至少一薄部上，其中该顶层及该至少一薄部形成一堆叠薄膜；多个X射线吸收图案，设置于该至少一薄部上方的该顶层上；其中该至少一薄部及该墙部提供机械支撑予该顶层，且该堆叠薄膜提供机械支撑予该多个X射线吸收图案。本公开还提供一种X射线光罩结构的制备方法。本公开的X射线光罩结构由于采用该至少一薄部及墙部构成的一体成型的支撑基板，因而具有高精密度及高刚性。
- 用于将EUVL掩模电气耦接至支撑夹盘的导电元件-201210375797.4
- I·克里夫玆;I·阿夫内里;Y·尤塞尔;N·本-戴维;I·霍尔克曼;I·耶尔;Y·巴松 - 应用材料以色列公司
- 2012-09-27 - 2013-05-15 - G03F1/22
- 一种耦接模块可包括：上部部分，所述上部部分界定孔隙；掩模接触元件；夹盘接触元件；和中间元件，所述中间元件连接于所述掩模接触元件与所述上部部分之间。孔隙的形状和尺寸可对应于极紫外(EUVL)掩模的图案转移区域的形状和尺寸。耦接模块可经成形并经确定尺寸，使得一旦掩模接触元件接触EUVL掩模的上部部分，那么夹盘接触元件接触支撑所述掩模的夹盘。当EUVL掩模定位于夹盘上时，耦接模块可在EUVL掩模的上部部分与夹盘之间进一步提供至少一个导电路径。
- 制备X射线衍射光学元件的方法-201110379973.7
- 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 - 中国科学院微电子研究所
- 2011-11-25 - 2012-04-04 - G03F1/22
- 本发明公开了一种制备X射线衍射光学元件的方法。该方法包括：制备掩模基片A，掩模基片A上具有对应待制备X射线衍射光学元件形状的分离的多个条纹状凸起；在纳米压印基底B上旋涂感光光刻胶；以掩膜基片A为掩膜，在感光光刻胶中压印形成与多个条纹状凸起互补的条纹状凹槽；在纳米压印基底B上衍射光学元件形状的条纹状凹槽内沉积第二金属材料；去除纳米压印基底B上残余的感光光刻胶，从而在纳米压印基底B上形成由第二金属材料构成的衍射光学元件。本发明降低了制备X射线衍射光学元件的成本，缩短了其制备周期。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
