[发明专利]一种MEMS结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910415705.2 | 申请日： | 2019-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110113699B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法，包括：在衬底的正面上沉积形成压电复合振动层；在压电复合振动层的中间区域沉积形成质量块；蚀刻压电复合振动层的外围区域以形成贯穿压电复合振动层的多个第一通孔；在压电复合振动层的外部，在露出的衬底上蚀刻形成第一凹槽；蚀刻衬底的背面以形成邻近第一凹槽的空腔，第一凹槽设置在空腔的外围，压电复合振动层形成在空腔正上方，其中，位于第一凹槽与空腔之间的部分的衬底支撑压电复合振动层。该方法使得位于第一凹槽和空腔之间的部分衬底材料支撑压电复合振动层，提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变，降低了残余应力，进而提高了MEMS结构的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法，其特征在于，包括：在衬底的正面上沉积形成压电复合振动层；在所述压电复合振动层的中间区域沉积形成质量块；蚀刻所述压电复合振动层的外围区域以形成贯穿所述压电复合振动层的多个第一通孔；在所述压电复合振动层的外部，在露出的所述衬底上蚀刻形成第一凹槽；蚀刻所述衬底的背面以形成邻近所述第一凹槽的空腔，所述第一凹槽设置在所述空腔的外围，所述压电复合振动层形成在所述空腔正上方，其中，位于所述第一凹槽与所述空腔之间的部分的所述衬底支撑所述压电复合振动层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽奥飞声学科技有限公司，未经安徽奥飞声学科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910415705.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
