[发明专利]基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件在审

专利信息
申请号: 201910437685.9 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110098296A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 胡晓龙;郑义栋;肖福安;齐卓豪 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L33/10 分类号: H01L33/10;H01L33/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 仵乐娟
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件,该绿光器件利用Tamm等离激元来提高绿光器件的发光效率,在器件结构上通过在有源区下方采用分布布拉格反射镜(DBR),并在有源区的上面设置p型接触层,并通过控制p型接触层的厚度以及p型接触层与DBR间的距离,使p型接触层与DBR之间形成谐振腔并与产生的Tamm等离激元耦合,设置p型接触层位于Tamm等离激元谐振模式的波节处,有源层位于Tamm等离激元谐振模式的波腹处,从而提高了内量子效率,大幅减小p型接触层对光的吸收,以及提高绿光器件中有源层发射光子与谐振腔光场的耦合效率从而提高器件的光萃取效率。
搜索关键词: 等离激元 绿光 谐振模式 氮化物 谐振腔 源层 源区 分布布拉格反射镜 光萃取效率 内量子效率 发光效率 器件结构 耦合效率 耦合 波腹处 波节处 光子 光场 减小 发射 吸收
【主权项】:
1.基于Tamm等离激元的氮化物绿光器件,其特征在于,其包括依次层叠的衬底、氮化镓缓冲层、n型氮化镓层、氮化物DBR、绿光有源层、p型氮化镓层以及p型接触层;其中,所述p型氮化镓层的厚度为5~50nm,所述p型接触层位于Tamm等离激元谐振模式的波节处,所述绿光有源层位于所述Tamm等离激元谐振模式的波腹处。
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