[发明专利]一种无定型MoSx单层纳米片的制备方法在审
申请号: | 201910445475.4 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110194486A | 公开(公告)日: | 2019-09-03 |
发明(设计)人: | 侯万国;王德良;李海平;杜娜 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C01G39/06 | 分类号: | C01G39/06;C25B11/06;C25B1/04;B82Y40/00;B01J27/051;B01J35/10;B01J35/02 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 韩献龙 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供一种无定型MoSx(x=2~4)单层纳米片的制备方法。以层状双金属氢氧化物(LDHs)层间为微反应器,先制备MoS42‑插层LDHs复合物;再通过低温煅烧使MoS42‑低温分解形成Mo3S13纳米簇,进而在层间进行排列形成MoSx单层纳米片,然后酸溶除去混合金属氧化物(MMO)后,获得无定型MoSx单层纳米片。本发明制备方法简单、反应条件温和、易于实现;不使用有机试剂,安全绿色环保;所得无定型MoSx为单层多孔的纳米片结构,比表面积大,表面拥有大量活性位点和缺陷,并具有优异的电催化析氢性能。 | ||
搜索关键词: | 单层纳米片 无定型 制备 层间 层状双金属氢氧化物 混合金属氧化物 电催化析氢 低温分解 低温煅烧 反应条件 活性位点 绿色环保 微反应器 有机试剂 复合物 纳米簇 纳米片 插层 单层 酸溶 安全 | ||
【主权项】:
1.一种无定型MoSx单层纳米片的制备方法,包括步骤:(1)MoS42‑插层LDHs复合物的制备;(2)MoS42‑插层LDHs复合物于惰性气体中、250~350℃下煅烧1~4h,得MoSx/MMO复合物;然后加入酸中,室温搅拌10~15h,经过滤、洗涤、真空干燥得无定型MoSx单层纳米片。
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