[发明专利]一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法有效
| 申请号： | 201910886342.0 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110491978A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李成明;许水珍;倪绿军;陈建;杨功寿;王琦;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学东莞光电研究院 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 44412 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邓燕<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。 | ||
| 搜索关键词： | 发光单元 钝化层 欧姆接触层 衬底 制备 金属层 半导体技术领域 对位难度 电极 包设 对位 减小 围设 紧凑 应用 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片结构，包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，其特征在于，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接。/n
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- 2019-01-04 - 2019-11-29 - H01L33/38
- 本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所述N型半导体层，所述P型电极在穿过所述钝化保护层后被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层。自所述N型电极注入的电流经所述N型半导体层的扩展后流入所述发光层，自所述P型电极注入的电流经所述P型半导体层和所述电流扩展层的扩展后流入所述发光层，电流在所述发光层进行复合后使所述半导体器件产生光线。
- 发光晶粒、封装结构及其相关制造方法-201811396713.9
- 蔡长达;吴维哲;黄冠凯 - 光磊科技股份有限公司
- 2018-11-22 - 2019-11-26 - H01L33/38
- 本发明公开了一种发光晶粒、封装结构、及其相关制造方法。该发光晶粒，包括：一基板、一第一型层、一发光层、一第二型层、一第一型电极与一第二型电极。该第一型层包括一第一部分与一第二部分。该第二部分的该第一型层位于该基板的上方，且该第一部分的该第一型层位于该第二部分的该第一型层上方。发光层位于第一部分的该第一型层上方。第二型层位于该发光层上方。第一型电极，接触于第二部分的该第一型层的侧边，且该第一型电极接触于该基板的侧边。第二型电极，接触于该第二型层。
- 发光芯片-201920009780.4
- 周弘毅;魏振东;张书山;李俊贤;李健 - 厦门乾照光电股份有限公司
- 2019-01-04 - 2019-11-26 - H01L33/38
- 本实用新型公开了一发光芯片，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。
- 一种LED芯片及其制作方法-201910763024.5
- 崔永进;王硕;张状;庄家铭 - 佛山市国星半导体技术有限公司
- 2019-08-19 - 2019-11-22 - H01L33/38
- 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层，第一电极和第二电极，还包括裸露区域和n个孔洞，n≥2，n个孔洞形成阶梯结构，第1个孔洞的直径到第n个孔洞的直径依次递减，所述第一电极设置在裸露出来的第一半导体层上并延伸至n个孔洞内，所述第二电极设置在第二半导体层上。本发明通过n个孔洞来增加第一电极和第一半导体层的接触面积，从而使第一电极与第一半导体层结合得更加牢固，从而提高后续封装打线的可靠性，以及提高芯片的电流扩展能力。
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