[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980032573.3 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN112166506B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 大仓康嗣 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L21/60;H01L23/40;H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 在半导体装置中，第1金属层(22)形成在半导体衬底(21)的一面上。第1保护膜(23)在第1金属层上具有开口部(23a)，以将第1金属层的端部覆盖的方式形成。在开口部(23a)中，在第1金属层上形成有第2金属层(24)，在第2金属层上形成有防氧化层(25)。第2保护膜(26)具有开口部(26a)，以将防氧化层的端部及第1保护膜覆盖的方式形成。并且，与防氧化层相比对第2保护膜的密接性高的密接部(27)与第2保护膜中的开口周缘部(26c)的下表面的一部分密接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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