[发明专利]瞬态电子器件的制备方法有效
| 申请号： | 202110635671.5 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN113380949B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄显;霍文星 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种瞬态电子器件的制备方法，包括：在衬底上制备范德瓦尔斯薄膜；其中，所述范德瓦尔斯薄膜为二维材料；将所述范德瓦尔斯薄膜进行光脉冲烧结处理，得到分层后的范德瓦尔斯薄膜样品；在分层后的范德瓦尔斯薄膜样品表面滴涂水溶性聚合物的溶液，低温固化，形成水溶性聚合物薄膜；将与所述水溶性聚合物薄膜紧密贴合的所述分层后的范德瓦尔斯薄膜样品自所述衬底揭下，制得所述瞬态电子器件。本公开实现了瞬态电子器件的大面积加工，能够通过改变光脉冲的参数调节范德瓦尔斯薄膜的厚度和性能，所采用的工艺流程对环境友好，并与印刷电子技术的制造工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 电子器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110635671.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种纳米锌及其绿色合成方法和应用
- 下一篇：一种电信号实验用模拟工作台
